25-26章激光半导体习题解.docVIP

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25-26章激光半导体习题解

第二十五章 激光习题解 25.1 由于 故,由于 微分有 得到,只考虑大小,则 故 25.2 由 故 将上题结果代入即得 25.3 为方便,设受激辐射概率为,自发辐射概率为,受激吸收概率为,则由平衡条件知道 又按题意 由之可得自发辐射与受激吸收比率,受激辐射和自发辐射的比率 25.4 两种受激跃迁的比率为 代入已知条件算得 25.5 两种辐射之间的比率 代入已知条件算得 25.6 1 两种辐射概率之比 故受激辐射概率 2 两种辐射之间的比率 由25.5题 即 25.7 25.8 后 令 ,即 解得 25.9 内的改变为 ① 或 积分得到 ② 平均寿命 代入①式 代入②式 25.10 由 按题意 ,解得 25.11 由,微分并忽略符号 由 有 而 故 25.12 由,有,由于 ,故 25.13 25.14 , 25.15 吸收系数 通过1m后 25.16 按题意 , 算得 25.17 增益系数 25.18 由,有,故 25.19 模数 25.20 按题意,模数 腔长 25.21 为四能级系统,激励方式是气体放电,He原子通过碰撞把能量转移给Ne原子(共振转移)。 25.22 激励方式是光脉冲,激活离子是铬离子Cr3+,为三能级系统。 第二十六章 半导体习题解 26.1当N个原子形成晶体时,原子的每一能级都将分裂为若干子能级,子能级间隔极小,形成一个准连续的分布,称之为能带。能带之间的间隔称为禁带或能隙。若能带中的电子是填满的,叫满带。若能带中的电子不满,叫不满带。若能带中没有电子,则称为空带。价电子能级形成的能带叫价带。不满带的电子参与导电,所以不满带又叫导带。 26.2 √;×;√;√ 26.3 26.4 满带能容纳电子数 1s、2s能带为满带,电子数为2N 2p能带为满带,电子数为6N 3s能带为半满带,电子数为N 26.5 电子组态为 1s22s22p63s23p1 介带3p为半满带,故铝为导体 26.6 温度高,激发陌生电子——空穴对多,使载流子浓度增加,电导率增加。 掺杂高,载流子(电子或空穴)越多,电导率增加。 26.7 电子,N型;空穴,P型。 2

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