3500抛光片目检考试答案.docVIP

3500站抛光片表面目检试卷 姓名： 得分： 填空（每格3分） 列举出三种硅片表面缺陷 小坑 , 划伤 , 烧结 。 目检前的检查准备动作包括 检查真空吸笔是否有真空来源、检查强光灯光照强度是否大于200000 lux、清洁工作。 一般来说，次参考面与主参考面夹角为45°是 N〈111〉 型，次参考面与主参考面夹角为90°是 P〈100〉 型，次参考面与主参考面夹角为180°是 N〈100〉 型，无次参考面的是 P〈111〉 型。 问答题（每题10分） 简述强光灯照射下抛光片表面小坑的特点。 答：强光灯照射下抛光面小坑看似很亮的点，且会依强光灯入射角度 的不同而亮度不同，会有闪的感觉。 简述抛光划伤与传送划伤的区别。 答：抛光划伤：抛光机台造成的，光滑的线状，有直线、虚线，且呈弯状，有明显划伤和隐划伤，隐划伤需转角度才能被检出。 传送划伤：经由人为或机台操作在晶片表面造成的不规则擦伤，一般都较明显。 列出不同颜色的标签对应的抛光片的搀杂剂类型。 答： 颜 色 绿色 黄色 红色 蓝色 参杂剂 B（棚） Sb 锑 As 砷 P（磷） 单晶编号4A18AB0156 中数字及字母表示的含义。 答：4 A 1 8 A B 0 1 5 6 寸别 掺杂剂 晶向 年份 月份 厂别 产品分类 流水号 4寸 As 〈111〉 2008 10 上海合晶 正常发料 5、简述抛光片抛光面检查的操作步骤。 答：先用真空吸笔从待检晶片盒的H-bar开始缓慢抽取晶片，避免刮伤相邻晶片。然后：1.将晶片平行置于离荧光灯100±25mm 处，目视晶片表面焦距对准投影在晶片表面的灯管上检查桔皮、抛光浆烧结、抛光痕、Dimple。2.将晶片放置于离强光灯光源距离100~125mm处，强光灯光入射至晶片上后将晶片自边缘以逆时针的螺旋方向绕行,并左右倾斜晶片，改变强光灯入射角度检查晶片缺陷。 6、目检时如何避免混片。 答：1.一次只检查一个批号的晶片。2. 核对制造命令单上待目检的数量是否与实际晶片数量相符。3.依照产品规范核对各种参数，有特殊要求的或备注栏有无注意事项的特别注意。4.寻边时依照产品规范观察参考面位置。5.以产品规范判定晶片样貌。 7、简述抛光面在强光灯下检测的要求。 答：1.强光灯强度不低于20万lux,2.强光灯源离桌面160mm，3. 以投射到桌面的光源为基准;直径40~60mm，4. 晶片与光源出口距离为100~125mm，5.抛光面与强光灯光束夹角为45°~90°。6. 抽取晶片动作缓慢，避免刮伤相邻晶片。7.每片晶片须在20秒内完成正反面的检查，且所有晶片全检。