第十章 电子电路中常用的元件new.pptVIP

* 1、发射区向基区扩散电子 —— 内部载流子运动规律 发射结处于正向偏置，掺杂浓度较高的发射区向基区进行多子扩散。 放大作用的内部条件： 基区很薄且掺杂浓度很低。 2、电子在基区的扩散和复合 基区厚度很小，电子在基区继续向集电结扩散。（但有少部分与空穴复合而形成IBE ? IB）。 （非平衡少数载流子的扩散） 电流放大作用原理 * 3、集电区收集扩散电子 集电结为反向偏置使内电场增强，对从基区扩散进入集电结的电子具有加速作用而把电子收集到集电区，形成集电极电流(ICE ? IC)。 由电流分配关系示意图可知发射区向基区注入的电子电流IE将分成两部分ICE和IBE，它们的比值为 它表示晶体管的电流放大能力，称为电流放大系数。 * 在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。 根据晶体管放大的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。则 对于NPN型晶体管 且 对于PNP型晶体管 且 * 4、集电极反向电流ICBO（平衡少子产生） 结论：IE=ICE+IBE IC=ICE+ICBO IB=IBE-ICBO β=ICE/IBE =(IC-ICBO)/(IB+ICBO) =IC/IB 双极型晶体管——因为两种载流子参加导电。 * 例：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V （2）U1=3V、U2=2.8V、U3=12V （3）U1=6V、U2=11.3V、U3=12V （4）U1=6V、U2=11.8V、U3=12V 试判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 解： （1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 * 三. 特性曲线 晶体管的特性曲线是表示一只晶体管各电极电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。 最常用的是共发射极接法的输入特性曲线和输出特性曲线，实验测绘是得到特性曲线的方法之一。特性曲线的测量电路见右图。 用晶体管特性图示仪也可直接测量及显示晶体管的各个特性曲线。 ?A V mA V EC RB IB UCE UBE IC EB * 1. 输入特性曲线 输入特性曲线当UCE为常数时的IB与UBE之间的关系曲线。(参见右图) 对硅管来说，当 UCE ?1V时，集电结已经处于反向偏置，发射结正向偏置所形成电流的绝大部分将形成集电极电流，但IB与UBE的关系依然与PN结的正向特性类似。(当UCE更小， IB才会明显增加) 硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压不超过0.2V。 放大状态时，硅NPN管UBE=0.6~0.7V；锗PNP管UBE = – 0.2~ –0.3V。 3DG6的输入特性曲线 0 0.4 20 0.8 40 60 80 UBE(V) IB(?A) UCE?1V * 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是在IB为常数时，IC与UCE之间的关系曲线。在不同的下，可得到不同的曲线，即晶体管的输出特性曲线是一组曲线(见下图)。 当IB一定时，UCE超过约1V以后就将形成IC，当UCE继续增加时， IC 的增加将不再明显。这是晶体管的恒流特性。 当IB增加时，相应的IC也增加，曲线上移，而且IC比IB 增加得更明显。这是晶体管的电流放大作用。 * 通常将晶体管的输出特性曲线分为三个工作区： (1) 放大区 特性曲线进于水平的区域。在放大区 也称线性区。此时发射结正向偏置，集电结反向偏置。 (2) 截止区 IB=0曲线以下的区域。 IB=0时IC= ICEO。对于硅管当UBE 0.5V时即开始截止。为了可靠截止常使UBE?0。即截止时两个PN结都反向偏置。 * (3) 饱和区 当UCE UBE时，集电结处于正向偏置，晶体管工作于饱和状态。在饱和区， IB的变化对IC影响较小，失去放大作用。 即：饱和时，晶体管的发射结处于正偏、集电结也处于正偏。 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 * 工作在三种状态的外部条件： 1、放大区：发射结正偏，集电结反偏 2、截止区：发射结反偏，集电结反偏 3、饱和区：发射结正偏，集电结正偏 * 四. 主要参数 晶体管的特性不仅可用特性曲线表示，还可用一些数据进行说明，即晶体管参数。它是设计电路和选用器件的依据。 1. 电流放大系数 、 当