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§2-4 I2L集成逻辑门 I2 L基本单元电路 I2 L门电路 I2 L的主要优缺点 I2 L基本单元电路 ? 电路的组成 射极加正电压VE，构成恒流源I0 I0 多集电极晶体管T2，C1、C2、C3之间相互隔离 T2的驱动电流是由T1射极注入的，故有注入逻辑 ? 工作原理 1、当VA = 0.1V低电平时，T2截止，I0从输入端A流出，C1、C2和C3输出高电平 2、当A开路（相当于输入高电平）时，I0流入T2的基极， T2饱和导通，C1、C2和C3输出低电平。 逻辑符号 A--输入 C1、C2和C3--输出 电路的任何一个输出与输入之间都是“非”逻辑关系 电路可简化为： 返回 I2 L门电路 ? “与”门 线与 逻辑功能： F=A?B ? “与或非”门 VE用输入变量来代替 逻辑功能： 返回 I2 L的主要优缺点 ? 优点 1. 集成度高 2. 功耗小 3. 电源电压范围宽 4. 品质因素最佳 5. 生产工艺简单 电流在1nA～1mA范围内均能正常工作 I2L的品质因数只有（0.1～1）pJ/门 ? 缺点 1. 开关速度低 2. 噪声容限低 I2L的逻辑摆幅仅700mV左右，比ECL还低，但其内部噪声小，因此电路能正常工作 3. 多块一起使用时，由于各管子输入特性的离散性，基极电流分配会出现不均的现象，严重时电路无法正常工作 返回 M=P（功率）·tpd（速度），它表示门电路性能的优劣，单位是皮焦(pJ)。 §2-5 MOS集成逻辑门 NMOS反相器 NMOS门电路 CMOS门电路 NMOS反相器 ? MOS管的开关特性 数字逻辑电路中的MOS管均是增强型MOS管，它具有以下特点： 当|UGS||UT| 时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合 当|UGS||UT| 时，管子截止，相当于开关断开 ? NMOS反相器 设电源电压VDD = 10V，开启电压VT1 = VT2 = 2V 1、A输入高电平VIH = 8V 2、A输入低电平V IL = 0.3V时， ? 电路执行逻辑非功能 工作管 负载管 T1、T2均导通，输出为低电平VOL ≈0.3V T1截止T2导通，电路输出高电平VOH = VDD - VT2 = 8V。 返回 NMOS门电路 ? NMOS与非门 工作管 串联 负载管 工作原理： T1和T2都导通，输出低电平 2、当输出端有一个为低电平时， 与低电平相连的驱动管就截止，输出高电平 电路 “与非”逻辑功能： 注： 增加扇入，只增加串联驱动管的个数，但扇入不宜过多，一般不超过3 1 1 通 通 0 1、当两个输入端A和B均为高电平时 0 1 止 通 1 返回 CMOS电路 ? CMOS反相器 PMOS NMOS 衬底与漏源间的PN结始终处于反偏，NMOS管的衬底总是接到电路的最低电位，PMOS管的衬底总是接到电路的最高电位 柵极相连做输入端 漏极相连做输出端 电源电压VDD＞VT1+|VT2|，VDD适用范围较大可在3～18V， VT1--NMOS的开启电压 VT2--PMOS的开启电压 工作原理： 1、输入为低电平VIL = 0V时 VGS1＜VT1 T1管截止； |VGS2| ＞VT2 电路中电流近似为零（忽略T1的截止漏电流）,VDD主要降落在T1上，输出为高电平VOH≈VDD T2导通 2、输入为高电平VIH = VDD时，T1通T2止，VDD主要降在T2上，输出为低电平VOL≈0V。 实现逻辑“非”功能 返回 . CMOS反相器的主要特性 CMOS反相器的电压传输特性如图所示。该特性曲线大致分为AB、 BC、 CD三个阶段。  AB段：UI＜UTN输入低电平时，UGS1＜UTN, |UGS2|＞|UTP|， 故V1截止，V2导通，UO=UOH≈UDD，输出高电平。 CD段：UI＞UDD-|UTP|输入为高电平，V1导通，而|UGS2|＜|UTP|，故V2截止，所以UO=UOL≈0，输出低电平。 图 3-21 CMOS反相器的电压传输特性 BC段：UTN＜UI＜(UDD-|UTP|)，此时由于UGS1＞UTN，UGS2＞|UTP|，故V1、V2均导通。若V1、V2的参数对称，则UI=1/2UDD时两管导通内阻相等，UO=1/2UDD。因此，CMOS反相器的阈值电压为UT≈1/2UDD。BC段特性曲线很陡，可见CMOS反相器的传输特性接近理想开关特性， 因而其噪声容限大，抗干扰能力强。 CMOS反相器的电流传输特性如图所示，在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。 在CD段V2截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0。只有在BC段