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3. 特性曲线与电流方程 a 转移特性 b 输出特性 UGS UT ，iD 0； 　　UGS ≥ UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。 当 UGS UT 时 　　三个区：可变电阻区、恒流区 或饱和区 、夹断区。 UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O 图 1.4.10 a 图 1.4.10 b iD/mA uDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 夹断区。 UGS增加 二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 P型衬底 N+ N+ B G S D ++++++ 　　制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 UGS 0 也会形成 N 型导电沟道。 ++++++ ++++++ 　　UGS 0，UDS 0，产生较大的漏极电流； 　　UGS 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小； 　　UGS UP , 感应电荷被“耗尽”，iD ? 0。 UP或UGS off 称为夹断电压 图 1.4.11 N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： UDS 0； UGS 正、负、零均可。 iD/mA uGS /V O UP a 转移特性 IDSS 耗尽型 MOS 管的符号 S G D B b 输出特性 iD/mA uDS /V O +1V UGS 0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 N 沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道MOS管 1.P沟道增强型MOS管的开启电压UGS th 0 当UGS UGS th ， 漏-源之间应加负电源电压 管子才导通,空穴导电。 2.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS off ＞0 UGS 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制， 漏-源之间应加负电源电压。 S G D B P沟道 S G D B P沟道 四、VMOS管 VMOS管漏区散热面积大， 可制成大功率管。 增强型 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 结型 N 沟道 输出特性曲线 转移特性曲线 符 号 种 类 S G D S G D iD UGS 0V + uDS + + o S G D B uGS iD O UT 　各类场效应管的符号和特性曲线 + UGS UT uDS iD + + + O iD UGS 0V - - - uDS O uGS iD UP IDSS O uGS iD /mA UP IDSS O 耗尽型 增强型 绝缘 栅型 P 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 N 沟道 输出特性曲线 转移特性曲线 符 号 种 类 ID S G D B UDS ID _ UGS 0 + _ _ O ID UGS UP IDSS O S G D B ID S G D B ID ID UGS UT O ID UGS UP IDSS O _ ID UGS UT UDS _ o _ UGS 0V + _ ID UDS o + 1.4.3　场效应管的主要参数 一、直流参数 饱和漏极电流 IDSS 2. 夹断电压 UP 或UGS off 3. 开启电压 UT 或UGS th 4. 直流输入电阻 RGS 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 为增强型场效应管的一个重要参数。 为耗尽型场效应管的一个重要参数。 　　输入电阻很高。结型场效应管一般在 107 ? 以上， 　　绝缘栅场效应管更高，一般大于 109 ?。 二、交流参数 1. 低频跨导 gm 2. 极间电容 用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控　　制作用。 单位：iD 毫安 mA ；uGS 伏 V ；gm 毫西门子 mS 这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 Cgs、　　Cgd、Cds。 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。　　一般为几个皮法。 三、极限参数 3. 漏极最大允许耗散功率 PDM 2.漏源击穿电压 U BR DS 4. 栅源击穿电压U BR GS 由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为　　热能使管子的温度升高。 当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。 场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若　　UGS U BR GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击　　穿的情况类似，属于破坏性击穿。 1.最大漏极电流IDM 例1.4.2 电路如图1.4.14所示，其中管子T的输出特性曲线如图1.4.15所示。试分析ui为0V、8V和10V三种情况下uo分别为多少伏？ 图1.4.14 图1.4.15 分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS th ＝4V 1.3.3 晶体管的共射特