02340自考浙江省2004年4月线性电子电路试题.doc

超越60自考网 浙江省2004年4月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题 每小题2分，共20分 1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成______电流，由外电场引起载流子运动，形成______电流。 2.PN结具有电容特性，正偏时以______电容为主，反偏时以______电容为主。 3.晶体三极管的ICBO是指______极开路的情况下，______的电流。 4.已知某三极管VBE 0.7V，VCE 0.3V，则该管工作在______区，是由______材料制造的。 5.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在______和______之间转换。 6.就VGS而言，增强型MOS管是______极性的，而耗尽型MOS管是______极性的。 7.多级直接耦合放大电路的两个主要问题是______和______。 8.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为______失真，这时输出信号中将产生______频率成份。 9.反馈量来自放大电路的输出电压，而又以电流信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是______。这种反馈可以使放大电路的输入电阻______。 10.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入______负反馈，若要稳定输出电流应引入______负反馈。 二、单项选择题 在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分 1.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象 A.雪崩击穿 B.齐纳击穿 C.热击穿 D.碰撞击穿 2.一个硅二极管在正向电压VD 0.6V时，正向电流ID为10mA，若VD增大到0.66V 即增加10% ，则电流ID 。 A.约为11mA 也增加10% B.约为20mA 增大1倍 C.约为100mA 增大到原先的10倍 D.仍为10mA 基本不变 3.如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则 。 A.管子深饱和 B.发射结反偏 C.管子截止 D.集电结烧坏 4.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V，则可判断该管的材料和类型是 。 A.硅、NPN B.硅、PNP C.锗、NPN D.锗、PNP 5.场效应管是一种 。 A.电压控制器件 B.电流控制器件 C.双极型器件 D.少子工作的器件 6.若场效应管的偏置电压VGSQ 1V，则该管不可能是一个 。 A.P沟道结型管 B.N沟道结型管 C.P沟道耗尽型MOS管 D.N沟道增强型MOS管 7.需设计一只单级晶体管放大器，要求输入电阻很大，输出电阻小，请选择 。 A.共射放大 B.共基放大 C.共集放大 D.共源放大 8.电容耦合放大电路 。 A.只能放大直流信号 B.只能放大缓变信号 C.只能放大交变信号 D.既能放大直流信号又能放大交流信号 9.要得到一个由电流控制的电压源，应选 负反馈形式。 A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 10.深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关， 但基本放大器 。 A.可以去掉 B.不能去掉 C.不一定 D.并不重要 三、简答题 每小题5分，共15分 1.已知晶体三极管的静态工作电流ICQ 1mA，｜VA｜ 100V，β 100， 100Ω，试画出低频小信号混合π型等效电路，并求出gm，rb′e 、rce的值。 2.电路如图三 2 所示，设MOS管的Cox w/l 40μA/V2，VGS th -1V，试求V0和ID的值。 3.一电流源电路如图三 3 所示，设T1，T2管参数相同，β 100，VBE -0.6V。若要使IC2 1mA，VC2≤12V，且R1 R2，试确定电阻R1、R2的最大允许值。 四、分析计算题 每小题9分，共45分 1.放大电路如图四 1 所示，已知三极管的β 80,rbe 2.2kΩ， 求 1 放大器的输入电阻Ri； 2 从射极输出时的Au2和R02； 3 从集电极输出时的Au1和R01。 2.放大电路如图四 2 所示，设各管的β 100，VBE 0.7V， 200Ω。试 1 求T2管的静态工作点 ICQ2、VCQ2 ； 2 估算放大器的电压增益Av； 3 求放大器输出电阻R0。 3.放大电路如图四 3 所示，所有电容对交流视作短路， 1 判断级间反馈的类型和极性。 2 计算在深负反馈条件下，源电压增益Avfs v0/vS的表达式。 3 若要求电路参数变化时，电压放大倍数基本不变，如何改接反馈电阻RF?并予以说明。 4.理想运放组成的电路如图四 4 所示，试求输出电压v0与输入电压vi的关系式，并说明A1、A2实现的功