IGBT发展历程汇编.pptVIP

空穴 PNP效应区 PNP效应区 注入空穴浓度增强 PIN效应区 N 型载流子增强层 栅 沟道 发射极 集电极 SPT+（续） 性能特点： 1, VCE（sat） 更小: 2, VCE（sat）正温度系数（TC） 3, 具有SPT的特点： 关断过程电压电 流波形非常光滑，电压过冲小，EMI小 125℃VCEsat比SPT减小25%， 而保持其他优点不变。 据报道：饱和电压 125℃ 为：3.8V 6.5kV , 3.3V 4.5kV , 2.8V 3.3 kV , 2.5V 2.5 kV , 2.2V 1.7 kV ，1.8V 1.2 kV SPT SPT+ 击穿电压 V VCE（sat） V （ SPT+EP） 4.10 CIGBT （集组IGBT） 新技术含量：单片集成MOS控制晶闸管,不是IGBT 代表性公司：英Montfort University，2001； ……… 结构特点： 在N-区中加入一层P区,把晶体管变成晶闸管。原来IGBT中MOS管控制PNP管基极电流变成控制晶闸管阳极电流。为了适合平面工艺把深P区分割开做出一个个阱形。 性能特点： 晶闸管替代了晶体管，通态电压VCEsat降低,保持高开关速度 n well NPT-CIGBT Semefab Scotland LTD.,2008 CIGBT续 3.3KV CIGBT 饱和电压正温度系数 五. 新半导体材料 IGBT 半导体材料 Si GaAs 4H SiC 6H SiC GaN 禁带宽度 Eg eV 1.12 1.4 3.26 3 3.39 临界击穿电场Ec 106V/cm 0.3 0.4 3.0 2.0 3.3 电子迁移率μn cm2.V.s 1350 8500 980 370 900 介电常数εr 11.8 12.8 9.8 9.7 9.0 热导率λ W/cm.K 1.7 0.5 4.9 4.9 1.3 本征载流子浓度ni cm-3 1.5E10 1.8E6 8.2E-9 2.3E-6 1.9E-10 电子饱和漂移速度vs 107cm/s 1.0 2.0 2.0 2.0 2.5 击穿电压 六 结束语 1. 自1980年代初IGBT发明至今二十余年来，IGBT制造技术取得了巨大的进展。 ● 透明集电极技术的应用获得了饱和电压正温度系数 ；降低 了制造成本；提高了开关速度；具有里程碑意义。 ● 电场中止技术和SPT技术的应用进一步同时降低了饱和电压和开关损耗。 ● 沟槽栅和各种表层载流子浓度增强技术的应用使通态压降极大降低，部分范围替代GTO。耐压达到6500V以上，模块电流达到几千安培。 2. 但是，IGBT性能尚未达到理论预期可达到的水平，其发展余地还很大，如通态电阻，电压范围。 3. IGBT在原理上只是一种单/双极性器件的折中技术,提高性能受到限制,期待新原理的新功率器件的发明. 谢谢！ * 绝缘栅双极晶体管 I G B T 的发展 北京工业大学 亢宝位 梗 概 IGBT 的发明 最早成熟的IGBT —— PT-IGBT 的性能与问题 PT-IGBT之后IGBT发展中的新技术 （TC、FS与SPT、Trench、IE、EP、CS、HC） 采用新技术的新产品类型 NPT-IGBT、FS-IGBT、Trench FS-IGBT、SPT、 CPT、 IEGT、CSTBT、HiGT、SPT+、CIGBT） 新半导体材料IGBT 结语 一 . IGBT 的发明 1.IGBT 的发明背景 2. IGBT的发明 ● 很低的通态压降，以减小器件自身的功耗 ● 简单的开关控制电路, 以降低控制电路功耗与制造成本 1 发明的驱动力：向往一种新功率器件能同时具有： 两类都不能令人满意 通态电阻很大；电压控制，控制电路简单且功耗小 ● 1970年代发展起来的 单极性器件 VD-MOSFET : 通态电阻很小；电流控制，控制电路复杂且功耗大 ● 1950-60年代发展起来的 双极性器件 SCR,GTR,GTO : ● 1978年-1980年代初由几个不同机构的不同研究者几乎同时分别提出了一种开关控制像MOSFET一样简单通态电压像BJT一样低的器件（电压控制双极性器件 ,各自分别命名为： IGR；IGT；ComFET Conductivity modulated FET ；MOSFET with anode region; bipolar mode MOSFET， MOSFET mode BJT等等，反映了研究者对IGBT机理的不同理解。 JEDEC The Joint Electron Devices Engineering Council ?