Inoxside_training汇编.ppt

张晓辉 2009年7月 主要内容 第一部分：电池制造流程介绍 第二部分：湿法刻蚀工艺原理 第三部分：RENA设备介绍 第四部分：软件介绍 第五部分：工艺控制及生产操作 第六部分：安全操作 电池的制造流程简述 1、硅片表面制绒：增大吸光面积 2、扩散：p-n结的形成 3、刻蚀：将硅片上下面的p-n结隔离 4、HF腐蚀：去除磷硅玻璃 5、PECVD镀膜：减少表面反射 6、丝网印刷：电池正负电极的形成 7、烧结测试：形成良好的欧姆接触并按照要求对电池进行分档 湿法刻蚀 工艺原理：Rena Inoxside刻蚀工艺主要包括三部分： 硫酸+硝酸+氢氟酸 　氢氧化钾 氢氟酸  本工艺过程中，硝酸将硅片背面和边缘氧化，形成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅反应生成络合物六氟硅酸，从而达到刻蚀的目的。 刻蚀之后经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并将从刻蚀槽中携带的未冲洗干净的酸除去。 最后,利用HF酸将硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水冲洗硅片，最后用压缩空气将硅片表面吹干。 本工艺过程中，硝酸将硅片背面和边缘氧化，形成氧化硅，氢氟酸与氧化硅反应生成络合物六氟硅酸（H2SiF6），从而使正面与背面绝缘。 刻蚀槽中，硫酸不直接参与化学反应，因为硫酸比重高，所以用以增加溶液的张力。 刻蚀之后经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并将从刻蚀槽中携带的未冲洗干净的酸除去。 最后利用HF酸将硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水冲洗硅片，最后用压缩空气将硅片表面吹干。 工艺流程：上料→,,混合酸液HNO3、HF、H2SO4腐蚀→风刀1→DI水冲洗→KOH腐蚀→风刀2→HF洗磷→风刀3→DI水冲洗→压缩空气风干→下料 第三部分 RENA湿法刻蚀设备 软件software介绍 第五部分 工艺控制及生产操作 工艺条件： 去离子水压力为6bar 压缩空气压力为6bar 排风压力为0.01bar环境温度：25±3℃相对湿度：40%～60% ，无凝露 腐蚀槽温度：6-9℃槽温度：18℃左右 工艺控制：（1）腐蚀深度控制在1.2±0.2um之间（电子天平）。（2）刻蚀宽度D≤1mm，每片测量四点，测量点在每边的中间点，20点（5道）或32点（ 8道）的平均值。（3）绝缘电阻≥1KΩ （电阻测试议）。以上三个参数在正常生产时至少每隔1小时测量一次。当更换药液和停产一段时间再生产时及参数不正常时，要求增加测量次数。 （4）腐蚀槽的腐蚀速率会随着硅片清洗量的增加而改变，新换的药液反应速度可能较慢，腐蚀量小，若出现此种情况，需要降低带速，随着生产的进行，要求每隔半小时测量一次腐蚀深度，当腐蚀速度稳定后，要求至少每隔一个小时测量一次腐蚀深度。调整带速要求范围：1.0－1.3，以保证腐蚀深度控制在规定范围内。 （5）如停产时间超过2小时，经班组长许可，可手动补加5 L ，如腐蚀量低于要求标准，可再手动补加1 L 。 （6）当工艺方案因随车间的工艺调整而变化时， 工艺人员应当及时通知并做好相应的记录 （7）腐蚀槽循环流量要求设定在30~35之间。循环流量过小会导致腐蚀量不够，甚至硅片边缘 不能完全去除；循环量过大会导致过腐蚀现象和硅片边缘刻蚀宽度出现阴影严重引起表面不合格。 （8）腐蚀槽温度保证在7±1 ℃，随着温度的升高，腐蚀速率会加快，但会使药液密度减小，以致发生过腐蚀现象。所以在温度未降到工艺控制范围内时禁止生产。 （9）碱洗槽温度要求 ≤23℃。当发现碱洗槽温度超过控制范围时，及时通知相关负责人进行检查调整。 （10）碱洗槽喷淋量要求，且首先保证下喷淋量充足，以便使硅片背面多孔硅腐蚀充分。 （11）压缩空气风干Dryer 处风刀频率及流量的控制太小，易造成硅片不能完全风干；过大易产生碎片。以硅片上下表面能够被完全风干为前提。建议风刀频率为：80%~85%；压缩空气流量：（8道）≥20立方米每小时 工艺准备：1、工装工具准备：备齐用于工艺生产的PVC手套、口罩、防护眼罩、防护面罩、防护套袖、防护服、防酸碱手套、防酸碱胶鞋等。2、设备准备：确认设备能正常运行,DI水、压缩空气等压力及流量正常。确认设定的刻蚀工艺，碱洗工艺和HF腐蚀工艺名称及参数。3、工艺洁净管理：穿好净化服，戴口罩，操作时戴洁净PVC手套。4、原材料准备：观察外观是否正常。常见的不合格片包括含缺角、裂纹、手印、孔洞的硅片等。 测试及检查 1、新换槽药液后，需等到槽温实际值降到设定值时方可进行投片生产。 2、批量投入生产前需先投入称重片，以观测实际腐蚀深度。由于新换药液的腐蚀速度较慢，因此可以将传输速度降低。随着生产的进行，每半小