纳米压印技术概念.docVIP

摘 要 半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展。在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位。其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术。介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术等。 关键词:纳米压印；气压辅助压印；激光辅助压印；滚轴式压印 Abtract Transfer of graphics is achived by oplical lithography for several decades in semiconductorprocess. The prodution capacity of 45 nm node has been formed. But now semiconductor industry is difficult to be developed according toMoore law because of the inherent limitations of oplical lithograhy. Nowelectron - beam directwriting, X - ray exposure and nanoimprint technology are the main technologies fornext generation graphics transfer technology. Nanoimprint technology has the advantages of high yield, lowcost and simple process. Introduce the traditional nanoimprint technology and its development, includinghot embossing lithography technology, ultraviloet nanoimprint,micro - contact nanoimprint. Key words:Nanoimprint lithography； Pressure-assisted nanoimprint； Laser-assisted nanoimprint；Roller-type nanoimprint  第1章 绪论 1 第2章 纳米压印的技术方法 5 2.1 热塑纳米压印技术 5 2.2 紫外固化纳米压印技术 6 2.3 微接触压印技术 8 2.4 纳米压印技术的新发展 9 2.4.1金属薄膜直接压印技术 9 2.4.2激光辅助压印技术 10 2.4.3滚轴式纳米压印技术 11 2.4.4“缩印”工艺 12 第3章 影响纳米压印图形精度的因素 14 3.1 温度 14 3.2 压印时间 14 3.3 压力 15 3.4 模版的抗粘性 15 3.5 抗蚀层聚合物 16 第4章 纳米压印技术的产业化发展 18 结 论 20 参考文献 21  第1章 绪论 集成电路制程长期采用光学光刻技术实现图形转移,光刻技术的发展在集成电路更新换代中扮演着先导技术的角色,它直接决定了单个器件的物理尺寸。光学光刻技术受限于工艺因子、光源波长和数值孔径,即著名的瑞利公式。 R=K1λ/NA （公式1-1） 式中: k1—工艺因子；—入射光的最小波长；NA— 据此,可以从此三个方面提高光学光刻的分辨率。光源从早期的g(436nm)和i(365nm)谱线光源到KrF(远紫外线248 nm) 、ArF(深紫外线193nm)和F2 (157 nm)等准分子激光光源,更有采用浸润式光刻变相缩短入射波长的新型浸润光刻机出现,且已经在45nm节点工艺形成产能。数值孔径从早期的0.28 nm提高到最新报道的1.6nm,但数值孔径也不宜过大,因成像景深随数值孔径的减小呈平方减小,数值孔径过大,景深会大幅度减小。通过改善照明条件和改进掩模设计,如光学临近效应校正、移相掩模和离轴照明等,可使工艺因子k1缩小,经过优化组合,甚至可使k1 值接近0. 25 nm的极限。随着半导体技术的发展,需要的光学光刻设备越来越复杂且昂贵,而且进一步的发展解决更低加工技术节点也越来越困难。必须寻找新的图形转移技术才能保证半导体产业继续沿摩尔定律高速发展,在下一代图形转移技术中, 电子束与X射线曝光,聚焦离子束加工,扫描探针刻蚀制技术占有重要位置,而且近年都取得了重大技术进步。但这些技术的缺点是设备昂贵,产量低,因而产品