02-制程化学分析原理重点资料.docVIP

製程化學分析原理 1.微蝕: (主要成份 H2SO4 H2O2) 作用: 去除表面氧化物,微蝕粗化銅表面,增強金屬間的結合力. 反應原理: Cu + H2SO4 +H2O2 → CuSO4 + 2H2O (總反應式) 分步: (1) Cu + H2O2 → CuO +H2O (2) CuO + H2SO4 → CuSO4 + H2O (內層微蝕,外層微蝕,噴錫前微蝕,OSP微蝕) 2.微蝕: (主要成份 H2SO4 SPS) 作用: 同上 反應原理: Na2S2O8 + H2O → Ha2SO4 + H2SO5 H2SO5 + H2O → H2SO4 + H2O2 Cu + H2SO4 + H2O2 → CuSO4 + 2H2O CuO + H2SO4 → CuSO4 +H2O (電鍍PTH微蝕,化金前微蝕,微蝕,鍍金前微蝕) 蝕刻: (成份CuCL2 H2O2 HCL) 反應原理: CuCL2 + Cu → Cu2CL2 型成的CuCL2是不易溶于水的,在有過量的u-存在下,能形成可溶性的結離子,其反應如下:結合反應: Cu2CL2 + 4CL- → 2[CuCL3]2-. 雙氧水再生: Cu2CL2 + 2HCL+H2O2 → 2CuCL2 + 2H2O (1) Cu + CuCL2 → Cu2CL2 (1) Cu2CL2 + 2HCL + H2O2 → 2CuCL2 + 2H2O (2) 總反應式: Cu + 2HCL + H2O2 → CuCL2 + 2H2O (內層蝕刻,外層蝕刻) 酸洗: (成份: H2SO4) 反應原理: H2SO4 + CuO → SuSO4 + H2O (防焊酸洗,電鍍PTH酸洗,化金後浸酸) 棕化: 為了防止多層板受到高溫熱沖擊時分層起泡,多層板的內層粘結面必須進行表面處理,對銅表面進行適當的粗化和氧化處理,以改善銅的表面狀態,力求使半固化片對銅表面有較大的粘結力,對銅表面進行化學氧化(本廠為棕化).在銅表面形成氧化亞銅膜(Cu2O) 反應機理: Cu +H2O2 → CuO + H2O CuO → Cu2O ICu: 反應原理: 陰板: Cu2+ +2e → Cu 2H+ + 2e → H2↑ 陽板: Cu – 2e → Cu2+ 顯影液: (Na2CO3) CO32- + H2O = HCO3- + OH- 主要與有機單體反應. 電鍍: 膨松: 將孔內的Resin及膠渣加以膨松及軟化,以利于後製程RnmO4之吸蝕,其反應主要為: 除膠: 反應原理: 4Mno4-+ReSin+4OH- → 4Mno4-+CO2+2H2O 2MnO4- + OH- → 2MnO42- + 1/2O2 + H2O MnO42- + H2O → MnO2 + 1/2O2 + 2OH- EPR再生的反應: 4MnO42- + O2 + 2H2O → 4MnO4- + 4OH- EPR陰陽極的反應: 陽極反應: 2Mn6+ → 2Mn7+ + 2e- 4OH- → 2H2O + O2 + 4e- 陰級反應: 4H+ + 4e- → 2h2 中和劑:主要是除去殘留于孔壁的二氧化錳及高錳酸鹽類物質. 反應: KmnO4 + NH2OH +H2SO4 → MnSO4 + N2↑+O2↑+H2O K2MnO4 + NH2OH +H2SO4 → MnSO4 + N2↑+O2↑+H2O MnO2 + NH2OH +H2SO4 → MnSO4 + N2↑+O2↑+H2O 整孔劑: ML-371主要成份(陽離子表面活性劑.烷基氯化胺) 活化: Pdcl2 + 2sncl5 → [Pd(sncl3)2cl2]2- 結構: Sncl3 cl Sncl3 2- Sncl3 Sncl3 cl 2-