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DOE Recommended Profile Key Data Points Liquidus dwell 60s (preferably ~ 30 s) Pre-spike dwell ~ 90 s Heating ramp ~ 2-4 C/sec Cooling ramp ~ 3-5 C/sec Bandwidth 10 C (Delta between profile curves) O2 Environment 20 ppm DOE Recommended Profile DOE Recommended Profile Profile Changes Belt Speed: Slow to ~ 55 cm/min Increase Initial ramp Flatten soak ramp Lower zone 6 (board should be below 183 C) Increase spike temp. Increase cooling temp. speed Room Temp = 25 C Flux Activation Temp = 150 C Solder Reflow Temp = 183 C Spike Temp ~ 220 C 4.5 Min =/- 0.5 min ~ 30 - 60 sec ~ 90 - 120 sec Temp Ramp = 2-4 C/sec Cool Ramp = 3-5 C/sec * * PCEG DMD(I) ENGINEERING DEPARTMENT BGA焊接品質研究及改善 2002 5/28 AMF發生2PCS NIC FAILURE, 國外對此分析,未找到不良原因. 5/30 AMF送回 3PCS不良板作分析. DMD重新測試ICT 結果OK; 重測FVS發現時而OK.時而NG 起因 是否有規律呢? 我們收集不良數据以便層別. 廠內 國外均有發現此類不良,為何我們不能完全測出? 不良情形到底如何呢? 我們決定去實驗室作CROSS SECTION分析 數据匯整 匯整國外資料,5月份共交貨215,353, 此種不良共 37PCS,約176PPM 廠內NIC FAILURE共64PCS,304PPM 切片分析 對BGA作CROSSS ECTION分析,發現兩种不良狀況 在BGA本體部分出現“錫肩” 存在明顯焊接分層現象 焊錫角90O BGA出現CRACK,斷裂面 在IMC層,斷裂面不規則 BGA PAD COPPER 為何ICT FVS不能完全測出 BGA PAD COPPER 我們在測試時會對BGA施加壓力,導致其斷裂面接触,從而引起時好 時壞的現象. 無法100%測試出來 不良的ROOT CAUSE是什麼呢? 第一種不良分析 錫肩外形規則,且出現在分層 面,初步判定為BGA封裝時不良 焊錫角90O 說明BGA本體 PAD吃錫不良 小結: 原材不良, 需進一步确認 BGA原材料确認 加熱,將BGA錫球取下,發現BGA本 體PAD焊錫性不良,出現 DEWETTING現象 發現BGA來料錫球壓傷,多球, 少球,露銅,氧化等多种不良 小結: BGA的确來料不良. (INTEL無此類標准) INTEL標准: 錫球共面性要求:高低差8mil 預防對策 1.訂定BGA外觀檢驗標准,IQC不定期抽檢 (因其為溫濕度敏感元件,使用前不便于拆封) 2.范用機貼裝前檢驗 BGA來料不良改善 : PASS 此不良信息及不良樣品給INTEL要求其改善 效果确認: D/C 0242后BGA品質有明顯改善 小結: 改善后不良率200PPM BGA CRACK要因分析 為何 B G A會斷裂 人 機 料 法 訓練不足 未依SOP作業 紀律性問題 ICT測試治具不良 FVS測試治具不良 插件 維修治具不良 PCB HANDLING 方法不當 流板方法不當 迴流焊溫度不當 波峰焊接溫度不當 印刷錫膏不良 貼裝不良 來料不良 物料儲存不當 物料使用不當 PROCESS CHECK 錫膏印刷 錫膏厚度0.148~0.160MM 良好 鋼板刮印干淨 張力40N/CM 刮刀無變形 錫膏開封后使用時間控制在3小時內 零件貼裝 NOZZLE 選用正确 #4 真空吸力正常: -80 貼裝品質OK PROCESS CHECK REFLOW PROFILE Typical Oven Reflow Profile 183oC slope 3oC/sec

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