第4章内存储器接口的基本技术剖析.ppt

第四章 内存储器接口的基本技术 半导体存储器 半导体存储器从使用功能上来分，可分为：读写存储器RAM（Random Access Memory）又称为随机存取存储器；只读存储器ROM（Read Only Memory）两类。 一、 RAM 特点：1）存储单元信息能读能写； 2）任意单元读写时间基本一致； 3）断电后信息立即消失 2．MOS RAM 可分为静态（Static）RAM（有时用SRAM表示）和动态（Dynamic）RAM（有时用DRAM表示）两种。 （1）SRAM的特点 6管构成的触发器作为基本存储电路。 集成度高于双极型，但低于动态RAM。 不需要刷新，故可省去刷新电路。 功耗比双极型的低，但比动态RAM高。 易于用电池作为后备电源（RAM的一个重大问题是当电源去掉后，RAM中的信息就会丢失。为了解决这个问题，就要求当交流电源掉电时，能自动地转换到一个用电池供电的低压后备电源，以保持RAM中的信息）。 存取速度较动态RAM快。 （2）DRAM的特点 基本存储电路用单管线路组成（利用分布的电容来保存信息）。 集成度高。 比静态RAM的功耗更低。 价格比静态便宜。 因动态存储器靠电容来存储信息，由于总是存在着泄漏电流，故需要定时刷新。典型的是要求每隔1ms刷新一遍。 二、ROM 特点：1)存储单元的信息只能读，不能写； 2)掉电后信息不丢失 1）掩模ROM 早期的ROM由半导体厂按照某种固定线路制造的，制造好以后就只能读不能改变。 2）可编程序的只读存储器PROM（Programmable ROM） 为了便于用户根据自己的需要来写ROM，就发展了一种PROM，可由用户对它进行编程，但这种ROM用户只能写一次。 3）可擦去的可编程只读存储器EPROM（Erasable PROM) EPROM可以由用户自行写入，信息可以用紫外线灯照射擦出；UVEPROM的写入速度较慢，而且需要一些额外条件，故使用时仍作为只读存储器来用。 4）电可擦去的可编程只读存储器EEPROM （Electrically EPROM） 可用电信号进行擦出和改写的存储器。 三、闪速存储器 特点：快擦型、易挥发性存储器 用途：便携式计算机PC卡存储器（固态硬盘） 存放主板和显卡上的BIOS（代替EPROM BIOS） 闪盘（U盘） 4.1.2 半导体存储器芯片的发展 内存条芯片的发展（了解） 1）使用DRAM；（集成度高、容量大、价格低、存取速度低） 2）发展 （1）SDRAM（Synchronous DRAM 同步DRAM） 在一个CPU时钟周期内可完成数据的访问和刷新，采用双存储体结构 例：PC133 SDRAM、PC166 SDRAM （2）DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM 双倍数据速率 SDRAM） 允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的2倍 例：DDR200 、DDR266（数据传输率：266MHz，时钟频率为其一半） （3）DDR2 SDRAM 在DDR基础上新增4位预取 （4）DDR3 SDRAM 在DDR基础上新增8位预取 4.1.3 半导体存储器的结构框图 4.1.4 半导体存储器的主要技术指标 1. 存储容量 存储器可以容纳的二进制信息量，以存储器中存储地址寄存器MAR((地址线数)的编址数与存储字位数的乘积表示。 例如，某存储器芯片的MAR为16位，存储字长为8位，则其存储容量为216x 8位=64Kx8b，64K即16位的编址数； 2. 存储速度 存取时间(Acces Time)TA，从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间。例如在存储器读操作时，从给出读命令到所需要的信息稳定在MDR(存储数据寄存器)的输出端之间的时间间隔，即为“存取时间”; 存储周期(Memor Cycle)TNc，启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。通常存储周期TMc略大于存取时间TA。 存储速度取决于内存储器的具体结构及工作机制。 3．可靠性 存储器的可靠性用MTBF(MeanTimeBetweenFailures，平均故障间隔时间)来衡量，MTBF越长，可靠性越高，内存储器常采用纠错编码技术来延长MTBF以提高可靠性。 另有，性能／价格比等 存储容量与地址信号线和数据信号线之间的关系 例1：已知存储芯片容量为8k*4b，至少需要多少地址线寻址， 需要多少数据线？ HM6116是一种2048x 8位的高速静态MOS随机存取存储器 其基本特征是： (1)高速度——存取时间为l00ns／