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东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 5 页） 总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得分 一、(20分)选择题，每题2分。 1、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 B 。 A PNP型硅管 B NPN型锗管 C NPN型硅管 D PNP型锗管 图1 图2 2、通用型集成运放的输入级多采用 B 。 A 共基接法 B 共集接法 C 共射接法 D 差分接法 3、已知某三极管β＝80，如果IB从10μA变化到20μA，则IC的变化量 。 Ａ 可能为0.9mA B 可能是0.6mA Ｃ 可能为1mA D 一定是0.8mA 4、图3中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是 。 A集电极电源+VCC电压变高 B集电极负载电阻RC变高 C基极电源+VBB电压变高 D基极回路电阻Rb变高。 5、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的