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多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展 　　摘 要：多晶硅薄膜在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。由于多晶硅生产成本低，效率稳定性好、光电转换效率高，多晶硅薄膜的研究备受关注。目前多晶硅薄膜已广泛地用于各种微电子器件的制造，其用途从栅极材料和互联引线发展到绝缘隔离、钝化、太阳能电池、各种光电器件等。文章介绍了制备多晶硅薄膜的多种工艺方法，结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜，根据多晶硅压阻特性理论进行了LPCVD纳米薄膜工艺试验，研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响，选取了优化的工艺条件，为多晶硅纳米薄膜在今后压阻式压力传感器中的应用奠定基础。 　　关键词：多晶硅；压阻特性；纳米薄膜；应变系数 　　引言 　　多晶硅薄膜在半导体器件和集成电路中应用广泛，多晶硅材料可制作MOS器件的栅极材料，牺牲层材料，太阳能电池和各种光电子器件。伴随MEMS（微电子机械系统）技术的飞速发展，多晶硅薄膜在压阻式压力传感器中应用广泛，同时多晶硅纳米薄膜的压阻特性比普通多晶硅更加优越。因此受到了广大研究者的关注。多晶硅薄膜与单晶硅薄膜相比更容易与IC工艺兼容，多晶硅薄膜具有良好的高温特性，高温器件中无p-n结隔离问题。多晶硅薄膜也可制作牺牲层材料，易于微机械加工，该材料的应变系数可达单晶硅的三分之二左右，重掺杂时，多晶硅纳米薄膜的应变系数比单晶硅材料的还要高。 　　多晶硅薄膜工艺