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1.1.2 本征半导体 在常温下自由电子和空穴的形成 载流子导电规律 1.1.3 杂质半导体 N型半导体结构示意图 二、P型半导体 P型半导体结构示意图 1.2.2 PN 结的单向导电性 二、面接触型二极管 三、平面型二极管 四、按材料划分二极管 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的主要参数 例题 1.3.4 二极管的等效电路 二、二极管的小信号模型（微变等效电路） 1.4.1 稳压管的伏安特性 1.4.2 稳压管的主要参数 1.5 特殊二极管 二、NPN 型三极管 三、PNP型三极管 三极管内部结构特点 1.6.2 三极管的三种接法 1.6.3 三极管的电流放大（控制）作用 二、管内载流子的运动 1.6.4 三极管的特性曲线 1.6.5 三极管的主要参数 二、交流参数 三、极限参数 1.7.2 结型场效应管(耗尽型) 二、结型场效应管的工作原理 3.结型场效应三极管的特性曲线 1.7.3 绝缘栅场效应管(MOS管) 2. 工作原理 3. 特性曲线 二、耗尽型绝缘栅场效应管（以N沟道为例） 2. 特性曲线 三、四种MOS管的特性曲线 1.7.4 场效应管的主要参数 四. 动态电阻 rZ：rZ= ? IZ ?UZ 三.最大允许耗散功率PZM：PZM=UZIZmax 通过上式可求出Izmax。稳压管的功耗超过PZM时， 会因结温升高而烧坏。 由上式可看出，rZ愈小，管子的稳压性能愈好。 五.电压温度系数 ?： ?= ?UZ ? T 上式表明?为温度每变化10C稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数，即温度升高时UZ下降；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数，即温度升高时UZ上升；而稳定电压介于4~7V之间的管子温度系数非常小，近似为零。 1、双向稳压管 2、恒流二极管 3、触发二极管 4、肖特基二极管 5、快恢复二极管 超快恢复二极管 6、瞬态吸收二极管 7、发光/光电二极管 8、红外二极管（收/发） 9、激光二极管（收/发） 10、变容二极管 1.6 半导体三极管（双极型晶体管）1.6.1 三极管的结构分类和符号 一、分类 按结构划分 NPN型 按材料划分 硅管 按功率划分 大功率管 按频率划分 高频管 按用途划分 放大管 PNP型 锗管 小功率管 低频管 开关管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极C 基极B 发射极E N N P 2.符号 E C B T 1.结构 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 集电极C 发射极E 基极B N N P P N C B E T 1.结构 2.符号 E C B T （1）基区很薄（几?m~几十? m）且载流子浓度很低，形成两个靠得很近的PN结——以利于电子的渡越 （2）发射区掺杂浓度很高——以利于发射电子 （3）集电结的面积很大——以利于收集电子 结构图 N N P c e b 一、共发射极接法 二、共集电极接法 三、共基极接法 ui uo ui uo ui uo 不同的接法具有不同的电路特性，但管子的工作原理都是相同的。 以NPN管共发射极接法为例，来说明电流放大的概念。 一、电流放大的概念 VCC RC IC UCE C E B UBE 输出 回路 输入 回路 公共端 VBB RB IB IE T VCCVBB 调节RB，观察IB、IC及IE的变化。 结论 （2）IC、IE比IB大得多。 （3）IB很小的变化可因起IC很大的变化，即IC受IB控制—这就是三极管的电流控制作用。 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE VBB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC VBB RB ICBO 综上所述，三极管具有电流控制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE E C B T E C B T 一、三极管的输入特性 IB = f (UBE ) UC E = 常数 三极管的特性曲线是其各极电压和电流之间关系的曲线。从使用三极管的角度来说，了解其特性曲线比了解其内部载流子运动显得更为重要。 死区电压 UBE/V IB/?A 0 UCE = 0 UCE ≥ 1V UCE=0时： + - UBB B C E IB U