第1章-二极管剖析.pptVIP

四、PN结的反向击穿 当外加反向电压时，PN结的反向电流很小，但当反向电压增大到一定值时，反向电流将随反向电压的增大而急剧增大，此现象为反向击穿。 雪崩击穿：低掺杂的PN结，击穿电压高（6~40V） 电击穿 齐纳击穿：高掺杂的PN结，击穿电压低（1~6V） 电击穿可逆，可为人们利用 热击穿：反向电流与反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率，热量散不出去而使结温上升，直至过热而烧。 热击穿应尽量避免 1.3 晶体二极管 一、结构与类型 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线 N P 结构 符号 阳极 + 阴极 - D 1.二极管按结构分三大类： (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电 路，及小电流和脉冲数字 电路。 (3) 平面型二极管 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用 于低频大电流整流电路。 2.半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。 二 、半导体二极管的V—I特性曲线 硅：0.5 V 锗： 0.1 V (1) 正向特性 导通压降 反向饱和电流 (2) 反向特性 死区 电压 击穿电压UBR 实验曲线 u E i V mA u E i V uA 锗 硅：0.7 V 锗：0.2V (3)反向击穿特性: 二极管中PN结反向击穿 反向电压增大到一定值时(UBR)，反向电流剧增。 三、主要参数 1.最大整流电流IF：为平均电流。电流过大会发 热烧毁管子。 2.反向击穿电压UBR：手册上规定的为实际的一 半。确保安全运行。 3.反向电流IR：随温度增加，值越小，管子的单 向导电性越好。 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 1.4 二极管的基本电路及其分析方法 D—非线性器件 i u RLC—线性器件 二极管为非线性器件，应采用非线性电路的分析方法。 一、图解分析法（前提：已知二极管的V-I特性曲线） 例：电路如图，二极管的V-I特性曲线已知，且已知U和电阻R，求二极管两端电压VD和流过二极管的电流ID。 iD R 10V U 1kΩ 解：根据KVL方程，求出iD 做出二极管的负载线。 解：根据KVL方程，求出 做出二极管的负载线。 二、简化模型分析法 D U 2.恒压降模型 （理想二极管串上导通管压降） U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.2V。 1.理想模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—I特性 例：由硅二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想模型、恒压降模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用恒压降模型分析。 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想模型和恒压降模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想模型分析。 波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用恒压降模型分析，波形如图所示。 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 1.5 特殊二极管 稳压二极管是正常工作于反向击穿区的平面硅二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。