模电-第五章-效应管.pptVIP

§ 5·1 金属-氧化物-半导体场效应管  （MOSFET） 5.1.1N沟道增强型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET管 §5·2 场效应管放大电路 5·3 结型场效应管（JFET） 2、工作原理（以N沟道为例，工作时vGS必需为负 ） （1）、共源极放大电路 （2）、共源极放大电路 5.5.1各种FET的特性及使用注意事项 1、特性比较 场效应管放大电路的静态分析 场效应管是电压控制器件，它没有偏流，关键是建立适当的栅源偏压UGS。 1. 自偏压电路分析 结型场效应管常用的自偏压电路如图5.22所示。在漏极电源作用下 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 输入电阻、电容均较小，适于高频、宽带电路 输入（出）电阻高（低）可作阻抗变换，用于输入（出）级或缓冲级 电压增益高输入电阻、电容均较大，适于中间放大级 用途 共基极电路 共栅极电路 共集电极电路共漏极电路 共射极电路 共源极电路 典型电路 输出电流与输入电流相等 输出电压与输入电压同相AV约等于1 输出电压与输入电压反相AV很大 组态命名依据及特征 电流跟随器 电压跟随器 反相电压放大器 通用组态电路 (2)选用放大器件和电路元件参数 例5．5．1 试设计一放大电路，要求其噪声低，能与具有高内阻的信号源匹配，且有较高的上限频率(1 MHz)。(1)确定电路方案；(2)选用放大器件和电路元件参数；(3)导出其中频区源电压增益AVSM、Ri和RO的表达式； (4)算出电路的上限截止频率。 解：(1)确定电路方案 JFET噪声低，而由它构成的倒相电压放大电路具有电压增益较高和输入电阻高的特点，因此第一级选用JFET共源电路；为消除密勒效应，第二级选用BJT电流跟随器。整个电路为共源—共基串接组态，如图5．5．1所示。 在图5.5.1中，T1选用JFET CS146,其工作点上的参数为：gm1=18mS, Cgs=18pF, Cgd=0.9pF; T2选用BJT 3DG4,其工作点上的参数为：β=100, 其它电路元件参数如图所示。 （3）求AVSM、Ri和RO 先画出中频小信号模型电路图如下： 由图可得 2式正好说明第二级为电流跟随器。因此有 故 考虑到 即整个电路的中频区源电压增益近似等于共源电路的电压增益，后面看到，因无密勒效应，电路上限频率得以提高。 电路的输入电阻和输出电阻为： Ri≈ Rg RO ≈ Rc (4） 求 上限频率 先看图5.5.1电路 和它的高频小信号模型电路 (a) 由于R2很小，因此对输入电路的作用，可近似看作Cgs与Rg并联，而Rg ﹥﹥ Rs可看作开路。其次 ， 得（b）图 由图b得 由BJT发射极端看进去的输出入纳为 于是图b可变为图C 考虑到 密勒电容求法：由P552定理 据此可得d图 这说明密勒效应对输入回路影响较小。而对输出回路的密勒效应较明显，但比起 仍可忽略。 由d图可知，其高频段电压增益具有三阶低通特性的形式，故得 小结 1.第4章讨论的BJT是电流控制电流器件，有两种载流子参与导电，属于双极型器件；而FET是电压控制电流器件， 只依靠一种载流子导电， 因而属于单极型器件。虽然这两种器件的控制原理有所不同，但通过类比可发现，组成电路的形式极为相似，分析的方法仍然是图解法(亦可用公式计算)和小信号模型分析法。 2.在FET放大电路中，VDS的极性决定于沟道性质，N(沟道)为正，P(沟道)为负；为了建立合适的偏置电压VGS，不同类型的FET，对偏置电压的极性有不同要求：增强型MOSFET的VGS与VDS 同极性，耗尽型MOSFET的VGS 可正、可负或为零，JFET的VGS 与 VDS极性相反。 3.按三端有源器件三个电极的不同连接方式， 两种器件(BJT，JFET、MESFET和MOSFET)可以组成六种组态。但依据输出量与输入量之间的大小与相位关系的特征， 这六种组态又可归纳为三种组态， 即反相电压放大器、 电压跟随器和电流跟随器。这为放大电路的综合设计提供了有实用意义的思路。 4.由于FET具有输入阻抗高、 噪声低(如JFET)等一系列优点， 而BJT 的β高，若FET和BJT结合使用， 就可大为提高和改善电子电路的某些性能指标。BiFET模拟集成电路是按这一特点发展起来的， 从而扩展了FET的应用范围。 5.由于GaAs的电子迁移率比硅大约5-10倍， 高速CaAs MESFE