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第4章 MOS集成电路的基本单元电路 （18） 　　　引 言 1. FET与BJT的对应关系 ?电极: Ｇ　Ｂ；Ｓ　Ｅ；Ｄ　Ｃ ?类型：N沟道　　NPN；Ｐ沟道　　PNP ?控制关系： iＤ=f(?GS,?DS) ； iC=f(?BE,?CE) ?电路组态与结构: CS CE； CG　 CB;　CD 　CC ?分析方法：图解法；等效电路法 ?基本结论 2. FET的特殊问题 ? FET除分N , P沟道外还有增强型, 耗尽型 注意偏压极性要求 ? FET iG ?0（直流和低频下） ? FET有衬底调制效应 第4章 MOS集成电路的基本单元电路 4.1 MOS场效应管的基本特点 复习P214～P215 4.2 MOS场效应管的交流小信号模型和三种组态放大电路 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型 一、什么是小信号 阅读P215～P217，理解： (1) (4.2.1)式的意义：Vsm= 4D(VGSQ-VGS(th)) 　　　　　　　　　　　Vsm?0.2(VGSQ-VGS(th))，D ?5％ (2) MOS管输入小信号范围的决定因素：(VGSQ-VGS(th)) (3) MOS与BJT输入小信号范围的不同 ?小信号的幅度与VGSQ-VGS(th)有关 ? MOS的小信号的幅度比BJT的大 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型（续） 二、MOS管的低频小信号模型（饱和区） 1. 推导 ? iD= kP/2?W/L(?GS- VGS(th))2(1+??DS) 　diD= id , d?GS = ?gs , d?DS = ?ds , 　小信号电流方程　id = gm?gs+ ?ds/rds 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型（续） 　 ?等效电路 　　 id = gm?gs+ ?ds/rds 　Id = gmVgs+Vds/rds 　Ig = 0 2. 考虑衬底调制效应的模型 注意两个受控源同方向 3. 模型参数 ? gm：三种形式 (4.2.3)式? (4.2.5)式 ? rds： (4.2.6)式 注意：饱和区模型(等效电路) 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型（续） 三、高频交流小信号模型 ?完整的模型：在低频模型基础上加五个电容 　　(参见图2.1.20) ?vbs=0的模型 注意： Cgb已包括在Cgs之内（应为Cgs+Cgb） 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型（续） 四、MOS管的特征频率fT ? 定义：输出交流短路时电流增益Id/Ig=1时的频率 ? 计算 fT ? ? fT 与工作点有关 　　 　讨论：MOS管fT和BJT fT公式的比较 　　　　fT ? 4.2.2 基本共源极放大电路 ? 电路形式 一、直流工作点(vGS=VGG) ? 直流通路 ? 解析计算 IDQ? kP/2?W/L(VGG-VGS(th))2（忽略VDS的影响） ? 图解法 　思考题：如果不忽略VDS的影响，如何计算工作点？ 4.2.2 基本共源极放大电路（续） 二、低频动态特性 ?低频等效电路 ?增益 Av= Vo/Vi = - gmVgsR?L/Vi = - gmR?L ?输入电阻 Ri : Ri= ? ?输出电阻 Ro : Ro= RD//rds ?与CE放大电路比较 ? CE: Av= -?R?L/rbe? -? R?L/rb?e = - gmR?L 忽略rb?b后公式相同 ?一般rds不能忽略 4.2.2 基本共漏极放大电路 ? 电路形式 ?源极跟随器 一、直流工作点 ?直流通路 ?工作点计算 IDQ? kP/2?W/L(VGSQ-VGS(th))2 VGSQ= VGG-RIDQ ?图解法（思考题） 4.2.2 基本共漏极放大电路（续） 二、低频动态特性 ?低频等效电路 ?增益 Vo = gmVgsR?L