第5章：微机存储器(lyz)(v1.0).pptVIP

第5章：微机存储器 主讲老师：廉迎战 副教授 5，CPU与存储器的连结 1. 存储器的基本结构 一片 2 .地址线的连结 地址线数目取决于芯片的容量 3 .数据线的连结 数据线的数目取决于芯片的位数 4 .控制信号的连结 读.写.片选 ROM只连RD,RAM连RD和WE, 最小方式读写信号由 CPU产生,最大方式由8288产生 ,片选信号由译码电路 产生。 5 .CPU与存储器连结注意的问题 1 CPU总线的负载能力 2 CPU的时序与存储器存取速度的配合 * 3 译码电路设计 （地址分配和片选） 4 位扩展,字扩展,位字扩展 静态RAM 6264 6264的引脚功能及操作 6264RAM 电路设计 8088系统BUS 若CPU改用8088CPU,SRAM还用6116 多芯片位扩展、字扩展、位字扩展 若用2114（1K×4 bit）组成 1K内存（1K×8 bit） 位扩展 若用 4K×1bit的DRAM组成16K内存 位字扩展 动态RAM 2164 2164,4164的引脚功能及操作 5.3 ROM ROM一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在掉电时丢失，它们在计算机系统中是只供读出的存储器。 ROM器件有两个显著的优点： 1． 结构简单，所以位密度比可读/写存储器高。 2． 具有非易失性，所以可靠性高。 ROM可以分为4种： 1． 掩膜ROM或者ROM。 2． 可编程的只读存储器PROM Programmable Read Only Memory 。 3． 可擦除可编程只读存储器EPROM Erasable Programmable Read Only Memory 。 4． 可用电擦除的可编程只读存储器EEPROM Electrically Erasable Programmable Read Only Memory 。 5.3 ROM 一． 掩膜ROM 掩膜ROM是芯片厂家制造时生产确定，用户无法修改。 结构由MOS管构成。 4 * 4 ROM组成： 注意：连接管子 0 无连接管子 1 制造时二次光刻实现。 信息永久保存。 5.3 ROM 二．可编程的只读存储器PROM Programmable Read Only Memory 。 用户编程一次的ROM，不能修改。 结构由可熔金属丝和MOS管构成。 单PROM组成： 注意： 熔丝连接 “1” 熔丝不连接 “0” 熔丝不能恢复。 三、可擦除、可编程只读存储器EPROM 1、 EPROM的工作原理 特点：信息通过电荷分布实现，编程实际是一次电贺的注入过程。编程结束，由于绝缘层的包围，注入电荷无法泄露。具有非易失性。 结构：2个MOS管组成。 编程： 高压源和编程脉冲作用下， 电子注入浮栅，形成导电沟道，从而 S-MOS导通，输出 0 字 1； 位 1；初始态为“1”。 恢复：用紫 外线照射，恢复S-MOS. 三、可擦除、可编程只读存储器EPROM 2、 2764芯片 DIP28 8K*8 工作方式：1）读方式：VPP VCC +5V -CE -OE 0 2）输出禁止： -CE 0 -OE 1 3）备用方式：-CE 1 P功 25% 4）编程方式： VPP +12~24 VCC +5V -CE 0 -OE 1 -PGM TTL负脉冲 5）编程禁止：-CE 1 6）校验：电源不变，-CE 0，-OE 0，-PGM 1：读出数据效验 7）擦除:紫外线照20分钟以上。 三、可擦除、可编程只读存储器EPROM 3、2764 EPROM扩展 三，可擦除，可编程的ROM（EPROM） 8086 CPU 与EPROM 2764（8K×16bit）的连结 四、可用电擦除、可编程只读存储器EEPROM 1、 EEPROM的工作原理 特点：信息可以按字节、页、片擦除和编程，既可以在编程器上，也可以在目标系统中。常用于存储系统参数或结果。具有非易失性。 结构：2个MOS管组成。 编程：在普通工作电压作用下，可以实现编程。 恢复：用电擦除恢复. 存取方式： 并行方式 串行方式 2、 2864芯片 DIP28 8K*8 工作方式：1）读方式：VCC +5V -CE -OE 0 2）维持： -CE 0 -OE 1 3）备用方式：-CE 1 4）擦写方式： VCC +5V 内部升VPP -CE 0 -OE 1 -WE 0 R/-B 0时，先擦后写，----RDY/B 1 T 10MS 3、FLASH MEMORY（闪存） 特点：EEPROM的特点，内部可自行产