(数电复习)第三章复习门电路精编.pptVIP

2.二极管折线等效电路 B 似b 似C 似e 绝缘层 符号 又称绝缘栅型场效应管 N沟道 增强型 MOS管结构 P型衬底 SiO2绝缘层 N＋ N＋ 高掺杂浓度的N区， 电子多 源极s 栅极g 漏极d N沟道 增强型 MOS管 vgs vds 衬底中电子被聚到栅极下? N型（电子）导电沟道 VGS（th) ： 开启电压VGS（th) P沟道 增强型 MOS管 N N P P vgs vds Vgs 衬底中空穴被聚到栅极下? P型（空穴）导电沟道 正值 负值 Vgs VGS（th) ： 2. MOS管基本开关电路 vI ＝0 VGS（th)， T截止区， 沟道电阻很大， 若RDS RD , vo ≈VDD = VOH T T足够导通， vDS 足够小→电阻区 Vgd VGS（th) ， 沟道全通， ds间呈线性小电阻 VGS（th) VGS（th) 若RDS RD , vo≈0V = VOL vI ＝ VDD VGS（th)， * 第三章 门电路 一、 概述 二、 分立门电路 三、 TTL集成门电路 四、 CMOS反相器 门电路是用以实现逻辑关系的电子电路，与我们所讲过的基本逻辑关系相对应，门电路主要有：与门、或门、与非门、或非门、异或门等。 在数字电路中，一般用高电平代表1、低点平代表0，即所谓的正逻辑系统。 一、 概述 1 0 Vi Vo K Vcc R 高低电平在一定为范围内 K开------Vo=1, 输出高电平 K合------Vo=0, 输出低电平 电子开关。 如二、三极管、MOS管 控制信号 高、低电平的获得 S1合,S2开----Vo=1 S1开,S2合----Vo=0 Vi Vo S Vcc R 单开关电路 Vi Vo Vcc S1 S2 互补开关电路 S开----Vo=1 S合----Vo=0 1. 二极管 伏安特性 0.7 V 硅 0.2V 锗 Uon 导通电压 u＞Uon，正向导通 u＜ Uon， 反向截止 D ＋ u － i （一）、 半导体二极管的开关特性 5版3.2.1 阴极K 阳极A 锗 硅 导通后管压降 Uon 材料 0.5V 0.1V 0.5～ 0.8V 0.1～ 0.3V Uon 0.7 V 硅 为了便于工程分析，统一取中间值 使管子临界导通 （还未通）的电压 0.7V 0.2V 锗 折线拟合 非线性曲线 ) 1 ( - = T U u e Is i u≤Uon ，二极管断； u Uon ，二极管通， 导通后管压降≈Uon 设二极管特性理想 Vi =Vcc=VIH ，---- Vi Vo K Vcc R Vi Vo D Vcc R input low output high Vi =0V=VIL ，---- D截止，K开， Vo=Vcc=VOH D导通，K合， Vo=0V=VOL 二极管作开关 限流 电阻 3. 二极管开关电路 （二） 三极管开关电路 截止区 IB＝IC ≈ 0, Vo ≈ Vcc = VOH rCE≈∞ ， IB IC Von＝0.7V Vo +Vcc + UBE － Rc Rb Vi e b c Vi = VI L Uon， Vi ? Uon ，T通： 实际：Vomin ≈ 0.1～0.3V = UCE（sat) IB= (Vi－Von ) / Rb， IC= ? IB V0=Vcc－IcRc 深度饱和区 rCE ??? 0 V0?? ?0， 线性放大 Vi ? ? = VI H ? 深度饱和电压 c e c e 二极管与门 F D1 D2 A B +12V 设二极管的饱和压降 为0.3伏。 二、 分立元件门电路  二极管或门 F D1 D2 A B -12V R1 D R2 A F +12V +3V 三极管非门 嵌位二极管 （三极管的饱和压降 假设为0.3V） 1. 体积大、工作不可靠。 2. 需要不同电源。 3. 各种门的输入、输出电平不匹配。 分立元件门电路的缺点 （一） TTL反相器 与分立元件电路相比，集成电路具有体积小、可靠性高、速度快的特点，而且输入、输出电平匹配，所以早已广泛采用。根据电路内部的结构，可分为DTL、TTL、HTL、MOS管集成门电路等。 三、 TTL集成门电路——输入、输出都为三极管结构的单片逻辑集成电路 1. 工作原理 +5V F R4 R2 R1 T2 R3 T4 T1 T5 b1 b2 A ? ? ? ? ? ? b5 c2 =5-1.4=3