吴光宇论文读书记新.docVIP

用计算机模拟光电探测器性能参数的研究 一、综述本课题国内外研究动态，说明选题的依据和意义 早在19世纪末就已经开始研究半导体中的光电现象，后来砷光得池得到应用，这几乎比晶体管的发明早80年，但当时人们对于半导体还缺乏了解，进展缓慢。30年代开始的对半导体基本物理特性（如能带结构、电子跃迁过程）的研究，特别是对半导体光学性质的研究为半导体光电子器件的发展奠定了物理基础。1962年。R.N.霍尔和M.I.内森研制成功注入型半导体激光器，解决了高效率的光信息载波源，扩展了光电子学的应用范围，光电子器件因而得到迅速发展。 目前，光电子器件的发展影响到社会诸多方面，这些光电器件在工业自动控制、家用电器、少年科技模型和儿童玩具、现代通讯技术、报警以及医学和农业等诸方面均有极其广泛的应用自研制成功后，由于其具有输入阻抗高，噪声系数小，功耗低，稳定性好等优点，得到了迅猛发展，主导了集成电路和微芯片的命运，成为支撑IT技术进步的驱动力，并朝着更智能、更优化的方向发展。为了能充分发挥的优势和潜力，对器件的结构优化及影响电学特性的因素进行充分和深入的研究，无论在理论上还是在实践上都是有重要意义的。半导体光电子器件大致分为两类一类是将电能转变为光能的发光器件;一类是把光能转变为电能的光敏元器件随着技术的增长，在材料生长、器件工艺、设计制造等方面都有很大的发展。在器件开发中，一是优化和设计半导体的生产工