第三章集成电路设计技术与工具分析.pptVIP

集成电路设计技术与工具 第三章 集成电路制造工艺 内容提要 3.1 引言 3.2 集成电路基本加工工艺 3.3 双极型集成电路的基本工艺流程 3.4 CMOS集成电路的基本制造工艺 3.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺 3.6 MESFET工艺与HEMT工艺 3.7 集成电路工艺CAD 3.8 本章小结 3.1 引言 集成电路基本加工工艺包括衬底外延生长、掩膜制版、光刻、掺杂、绝缘层和金属层形成等。 而集成电路的特定工艺包括硅基的双极型工艺、CMOS、BiCMOS；锗硅HBT工艺和BiCMOS工艺，SOI材料的CMOS工艺，GaAs基/InP基的MESFET工艺、HEMT工艺和HBT工艺等。 目前应用最广泛的特定工艺是CMOS工艺。 在CMOS工艺中，又可细分为DRAM工艺、逻辑工艺、模拟数字混合集成工艺，RFIC工艺等。 尽管特定工艺种类繁多，若以晶体管类型来区分，目前常用的大体上可分为双极型/HBT、MESFET/HEMT、CMOS、BiCMOS四大类型。 本章将分别介绍这四种特定工艺的基本加工过程。 3.2 集成电路基本加工工艺 制造一个集成电路需要经过几十甚至几百道工艺过程。这样复杂的工艺过程其实是由数种基本的集成电路加工工艺组成的。集成电路的基本加工工艺包括外延生长、掩膜制版、光刻、掺杂、金属层的形成、绝缘层的形成等。任何复杂的集成电路制造都可以分解为这些基本加