半导体物理第1章ppt.pptVIP

1.2 半导体中的电子状态和能带 1.2 节知识点 晶体中电子的共有化运动与能带的形成 单电子近似和周期性边界条件 晶体中电子运动遵循的薛定谔方程 布洛赫波函数：描述晶体中电子运动的波函数 定性描述E(k)~k关系的特点、布里渊区概念 半导体晶体中能带的形成特点 晶体中电子与自由电子运动状态的比较 1.3 节知识点 半导体能带极值附近的E(k)~k关系： 半导体中电子的平均速度计算式： 有效质量的定义： 有效质量的物理意义、能带结构对有效质量的影响 1.4 节知识点 能带中电子的导电机理（能量的传递） 用能带结构解释导体、半导体和绝缘体在导电性方面的差异 本征激发的概念、产生条件、特点；本征半导体的概念 空穴的概念与物理性质、空穴的作用 本征半导体的导电机构 作 业 课后第1题（35页） 1.5 节知识点 掌握硅、锗、砷化镓的导带顶和价带底附近的能带结构(E~k关系) 掌握常见半导体的室温禁带宽度 掌握直接带隙和间接带隙的区别 例 题 3.9 设Si晶体中导带底附近电子的纵向有效质量为ml，横向有效质量为mt 如外加电场沿[100]方向，试写出[100]和[001]方向导带底能谷中电子的加速度。 若外加电场沿[110]方向，试求[100]方向导带底能谷中电子的加速度与电场之间的夹角。 1.3.3 半导体中电子的加速度 若令 由此可见，引入有效质量mn*后，半导体中电子所受的外力