李峰博士论文摘要.docVIP

  • 7
  • 0
  • 约1.09万字
  • 约 7页
  • 2016-10-08 发布于重庆
  • 举报
李峰博士论文摘要

论文题目:改善有机电致发光器件的效率和稳定性的研究 专业:微电子学与固体电子学 作者:李峰 指导教师:刘式墉 教授 摘要 当今是以信息产业为核心的知识经济时代,平板显示器作为人类获取信息的重要界面,其作用越来越显著。有机电致发光器件作为平板显示器的重要一员,由于其具有重量轻、成本低、视角宽、响应速度快、主动发光、发光亮度和效率高、能实现全色显示等优点,因而倍受科学界和产业界的重视。特别是从C.W. Tang于1987年首次报道了低电压工作的高亮度有机电致发光器件以来的十余年里,有机电致发光器件逐渐成为多学科交叉、协作研究的国际前沿课题和各国高技术竞争的焦点。通过新材料的研究和使用,器件结构和工艺的不断完善,有机电致发光器件的发展已经取得了长足的进步。到目前已经开始小规模进入市场。虽然有机电致发光器件的发展已相对完善,但进一步提高器件的性能仍然是各国研究人员的研究焦点。 本论文对提高有机电致发光器件的效率以及器件的老化机理进行了一些有意义的研究。 1.首次利用时间分辨光致发光光谱研究了采用辅助掺杂的方法制备有机红光电致发光器件内的能量转移过程。 通过对荧光衰减曲线的拟合,计算出从Alq到DCJTB、从Alq到rubrene以及从rubrene到DCJTB的能量转移速率分别为1.04×109 s-1, 3.89×109 s-1, 和 2.79×109 s-1 。可以看出能量通过rubrene从Alq到DCJTB的转移速率是能量直接从Alq到DCJTB的2.7倍。制作了两种有机电致发光器件,器件结构分别为: ITO/NPB(50nm)/ Alq:rubrene:DCJTB (50nm) /LiF(0.5nm)/Al(120nm) ITO/NPB(50nm)/ Alq: DCJTB (50nm) /LiF(0.5nm)/Al(120nm) 与只掺杂DCJTB的红光器件相比,掺杂两种荧光染料rubrene、DCJTB的有机红光电致发光器件,红光的色纯度、亮度、效率都有了很大的提高。通过分析器件的光致发光、电致发光及时间分辨光致发光特性,器件性能的提高被认为是由于掺入的rubrene能够帮助能量从Alq到DCJTB的转移。 依据能量给体的发射光谱与能量受体的吸收光谱的重叠大小以及器件的电流-电压特性,我们推出在能量通过rubrene从Alq到DCJTB的转移过程中,F?rster能量转移不是能量转移的主要形式,载流子转移起主要作用。 2. 利用新型铼系磷光材料DMFbpy-Re、Dpphen-Re、Dmphen-Re、phen-Re采用在荧光母体CBP中掺杂磷光材料的方式制备了有机电致发光器件,设计了一种适于研究电致磷光过程的器件结构。器件的结构为:ITO/NPB(40 nm)/CBP:铼系磷光材料(30 nm)/BCP(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(120 nm)。获得了发射橙红及黄光的器件,并对掺杂不同材料以及不同浓度的器件的发光特性进行了表征,发现: 器件的效率随着电压的升高迅速达到最大值,之后随着电压的继续升高而下降,并且磷光材料的掺杂浓度存在一个最佳值,当掺杂浓度过高或过低时器件的整体效率都不高。这是因为磷光材料相对长的磷光寿命(10-6s量级)以及三线态-三线态湮灭(triplet-triplet annihilation)造成的,当掺杂浓度过低或是外加电压持续增加导致注入电流持续增加时,磷光材料的发射点迅速达到饱和(saturation of emission sites),使后来注入的载流子难以在发射位置形成激子(以前形成的激子还没有来的及复合),从而使器件的效率下降。当掺杂浓度过高时,三线态激子之间的相互作用增强,三线态-三线态湮灭效应增强,导致器件的效率下降。 器件的NPB的发光随着铼系磷光材料的掺杂浓度的降低以及外加电压的的增加而增强。这是因为随着铼系磷光材料浓度的降低,在CBP层中与空穴结合生成激子并通过铼系磷光材料辐射复合发光的电子的数目减少,导致注入到NPB层的电子的数目增加,引起NPB发射的增强;随着器件外加电压的增加,注入到器件中的电流增加,由于磷光材料的长寿命,在发射点达到饱和后,多余的电子就会注入到NPB层中,导致NPB发射的增强。 掺杂合适浓度的Dpphen-Re、Dmphen-Re、phen-Re 磷光材料的器件,在实际使用的亮度100cd/m2时,保持了比较高的效率(5.5cd/A),这在磷光材料掺杂器件中是比较好的结果。掺杂DMFbpy-Re、Dpphen-Re、Dmphen-Re、phen-Re的有机电致发光器件的最大效率可以分别达到1.28cd/A、5.75cd/A、7.15cd/A、6.67cd/A。   3. 基于自旋电子学的研究

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档