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不同AL含量的AlGaN/GaN异质结材料特性High temperature electron transport properties of AlGaN/GaN heterostructures with different Al-contents 作者：ZHANG ZhongFen?, ZHANG JinCheng, XU ZhiHao, DUAN HuanTao HAO Yue 起止页码：1879-1884； 出版日期：Sci China Ser G-Phys Mech Astron，Dec. 2009 ， vol. 52 ， no. 12； 出版单位：Springer 摘要：不同AL含量的AlGaN/GaN异质结材料特性680 K。电子迁移率的温度依赖关系已经被系统的测量出来。在680K, Al0.15Ga0.85N/GaN and Al0.40Ga0.60N/GaN异质结材料154 and 。实验发现，在680K, AL含量低的Al0.15Ga0.85N/GaN异质结材料Al0.40Ga0.60N/GaN 异质结材料Al0.15Ga0.85N/GaN 和Al0.40Ga0.60N/GaN的电子所占比率分别为 75% 和82%。在整个电子系统中它们所占的二维电子气分别是30%和 将近 60%。这表明二维电子气在油井中受到限制，并且在温度为700 K时，对于AL含量高的AlGaN/GaN 异质结材料AlGaN/GaN 异质结材AlGaN/GaN异质结材料AlGaN/GaN异质结材料[1-10]实验表明，AlGaN/GaN 异质结结构场效应晶体管AlGaN/GaN异质结材料特性15%的AlGaN/GaN 异质结材（5），而AL含量为22%的大约是（11）。但是，关于Al含量高的AlGaN/GaN 异质结材AlGaN/GaN异质结材料特性金属有机物化学气相沉积三个样本应该种植在c-plane蓝宝石作为氢气体载体和triethylgallium(TEGa),trimethylaluminium(TMAl)和氨(NH3)作为源compoundsTi(200 ?)/Al(800 ?)-/Ti(200 ?)/Au(1000 ?) 金属并在85030℃ 下退火30s形成欧姆接触，采用Accent HL5500霍尔系统在300K至680K间进行测试。 实验结果级分析 图1为三个样品的电子迁移率和面密度与温度的变化关系，室温下，样品A，B，C的电子迁移率分别为1806,1355和1053cm2/V·s ，面密度分别为0.85×1013, 1.52×1013 and 2.28×1013 cm?2,。可以明显看出，室温下，Al组分越高的样品由于合金无序散射的增强使得其迁移率比较低，而面密度由于其导致断续使得其面密度比较高（5.10.12） 从图5.1中可以看出，对于所有的样品，电子迁移率随温度的增加而不断的降低，并且下降速率也随着温度的升高而逐渐降低。这些特性反应在高温段，AlGaN/GaN异质结构2DEG的迁移率主要是受到LO声学波散射的影响作用，与理论预测的一致（5.1-5.4）。另一方面，从图中可以观察出室温至高温段，电子迁移率的下降速率是随着Al组分的增加而降低的，且在680K的高温下，样品A，B，C的电子迁移率分别为154, 170 and 182 cm2/V·s，因此，不难发现，高温下，Al组分越高，电子迁移率越高，反之则相反，与室温下规律恰好相反，这种反差在温度达到更高的时候将会更加的明显。 为了说明这种现象，我们给出一种说法，实际上，GaN缓冲层中海残留着少数的以三维方式运动的剩余自由电子以及不可忽视的残余浅施主杂质（5.6-5.9），在高温下，这些浅施主杂质激发而产生了更多的三维运动的自由电子，而恰好是这些激发出来的多余电子，严重的影响了 AlGaN/GaN异质结构的运输特性。所以，在本章的工作中，我们将AlGaN/GaN异质结构的电子体系划分为界面的2DEG和位于AlGaN势垒层和GaN缓冲层中的背景电子（主要是GaN上的），如图2所示。当温度升高时，2DEG面密度有轻微降低，但是背景电子却急剧增加，达到680K的时候，不难看出，对于低Al组分的样品A，背景电子的总比例为全部电子体系的60%，而对于高Al组分的样品C，此比例为40%，因此，在高温下，背景电子的存在，对于AlGaN/GaN异质结构的运输特性有着重要的影响。而总所周知，2DEG的迁移率在不同温度段始终是币背景的三维体电子迁移率大很多的（5.5),因此，在高温下，对于高2DEG密度的样品C，其总的电子迁移率就显得比较高了。 详细分析 图2 为AlGaN/GaN电子体系的划分示意图,高温下，位于AlGaN势垒层和GaN缓冲层的浅施主杂质所激发出