半导体中的电子状态分析.ppt

4 有效质量的意义 半导体内部势场+外电 场的共同作用结果 有效质量的意义： 概括了半导体内部势场的作用 与 成反比，能带的宽窄与 E 随k的变化有关 能带越窄，二次微商越小，有效质量越大。 内层电子能带窄，有效质量大;难获得较大的加速度 外层电子能带宽，有效质量小;可获得较大的加速度 能带曲率大 小 能带曲率小 大 小 大 5 半导体中的载流子 半导体中存在两种载流子 电子 空穴 空穴：将价带电子的导电作用等效为带正电荷的 准粒子的导电作用。 空穴浓度表示为 p 电子浓度表示为 n 在 本征半导体中 p = n 空穴 电子 §1·4 常见半导体的能带结构 1 E(k)与k的关系与等能面 设能带极值在k=0处，则 导带底附近 价带顶附近 若知道 和 ，极值附近的能带结构便掌握了 对实际的三维晶体，以 、 、 为坐标轴 构成 空间，则 设导带底位于K=0，则导带底附近有 上式表示的是一个球形等能面，等能面上的波矢k与电子 能量E之间有着一一对应的关系，即： k空间中的一个点 = 一个电子态 晶体有各向异性的性质，沿不同的K方向 E（k） 与K的关系不同，电子有效质量不一定相同，极值不一定在K=0处。设导带底位于 ，在晶体中适当选取坐标轴 等能面是环绕 的一系列椭球面 如果知道了有效质量的值，则可求出能带结构。 对于极值在K=0，有效质量各向同性的简单能带，等能面为球形；而有效质量各向异性的能带，等能面为椭球 2.回旋共振 电子受到磁场力 力的大小 电子沿磁场方向作匀速运动，在垂直于B的平面内做匀速圆周运动，运动轨迹是一螺旋线 α、β、γ为 B 沿 的方向余弦 3 硅、锗的能带结构 硅导带底附近的等能面是沿[100]方向的旋转椭球面，椭球长轴与该方向重合。 根据晶体立方对称性的要求， 也必有同样的能量在 共有六个旋转椭球面，电子 主要分布在这些极值附近 ?硅、锗能带结构的特点： 1）锗、硅为间接能隙结构 2）禁带宽度随温度的增加而减小 3）T=0K时 硅 锗 4 GaAs的能带结构 特点： （1）负温度系数特性 （2）T(0K) Eg= 1.522eV （ 3）直接能隙结构 温度特性比较 Si：dEg/dT=-2.8×10-4eV/K Ge: dEg/dT=-3.9×10-4eV/K GaAs： dEg/dT = -3.95×10-4eV/K 室温下禁带宽度 Si：1.119eV Ge:0.664eV GaAs：1.424eV 作业：1，2，3  其他 其他 其他 其他 返回 返回 * * 半导体物理 教材： 刘恩科 王延来 固体物理的分支 半导体的微观结构和宏观物理特性的关系 物理特性----电学特性 微观结构----原子排列的方式、键合结构、电子的运动状态等 学习要求----深刻理解概念、物理机制 48学时，3学分，闭卷考试，平时30%，期末70% 第一章 半导体中的电子状态 半导体材料分类 晶体材料：单晶和多晶 电学性能-----电子状态 能带论---采用单电子近似来研究半导体中的电子状态。 §1·1 半导体的晶体结构和结合性质 1、金刚石型结构和