第七章光电二极管详细分析.ppt

PIN硅光电二极管特点： 频带宽，可达10GHz。另一个特点是线性输出范围宽。由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。 不足：I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。 照度 电流 PIN光电二极管性能 3、雪崩光电二极管（APD） PIN型光电二极管提高了PN结光电二极管的时间响应，但对器件的灵敏度没有多少改善。为了提高光电二极管的灵敏度，人们设计了雪崩光电二极管，使光电二极管的光电灵敏度提高到需要的程度。 雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。 雪崩光电二极管是具有内增益的一种光伏器件。它利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应，以获得光电流的增益。在雪崩过程中，光生载流子在强电场的作用下高速定向运动，具有很高动能的光生电子或空穴与晶格原子碰撞，使晶格原子电离产生二次电子－空穴对；二次电子和空穴对在电场的作用下获得足够的动能，又使晶格原子电离产生新的电子－空穴对，此过程像“雪崩”似地继续下去。电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加。 APD载流子雪崩式倍增示意图 高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子 - 空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载