第三章光伏器件1光电池.pptVIP

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PN结受到光照时,可在PN结的两端产生光生电势差,这种现象则称为光伏效应 利用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光伏器件,简称PV(Photovoltaic),也称结型光电器件 这类器件品种很多,其中包括各种光电池、 光电二极管、 光电晶体管、光电场效应管、PIN管、 雪崩光电二极管、光可控硅、 阵列式光电器件、象限式光电器件、位置敏感探测器(PSD)、光电耦合器件等。 光电池外形 能提供较大电流的大面积光电池外形 1、光电转换部位不同 2、光敏电阻需外加电压,没有极性,无正向、反向偏置之分;而结型器件因p-n结的存在,有正向偏置、反向偏置之分,且无外加电压,也可工作,也能实现光电转换。 3、光敏电阻的光电流依赖于光生载流子的产生—复合运动,弛豫时间常数大,频率响应差。结型器件的光电流依赖于结区部分光生载流子的漂移运动,弛豫过程时间常数小,响应速度快。 5、光电池的应用 1)太阳能电池 太阳能特点: ①无枯竭危险;②绝对干净;③不受资源分布地域的限制;④可在用电处就近发电;⑤能源质量高;⑥使用者从感情上容易接受;⑦获取能源花费的时间短。 要使太阳能发电真正达到实用水平,一是要提高太阳能光电变换效率并降低成本;二是要实现太阳能发电同现在的电网联网。 1、光生电流的光学损失 1)反射损失:超过30%的光能被裸露硅表面反射掉 2)栅电极遮光损失: 3)透射损失:电池厚度不够,则某些能量合适能被吸收的光子可能从电池背面穿出。 2、光生少子的收集几率:由于存在少子复合,所产生的每一个光生少数载流子不可能全部被收集起来; 3、太阳电池的光谱响应 4、影响开路电压Voc的实际因素:半导体的复合率越高,少子扩散长度越短, Voc越低; 5、串联电阻和旁路电阻引起效率下降 6、温度效应 3 光谱特性 硅光电池的光谱特性 硅光电池 响应波长0.4-1.1微米, 峰值波长0.8-0.9微米。 硒光电池 响应波长0.34-0.75微米, 峰值波长0.54微米。 4 温度特性 硅光电池的温度特性 开路电压下降大约2?3mV/度 短路电流上升大约10-5?10-3mA/度 光电池做探测器件时,测量仪器最好能保持温度恒定,或采取温度补偿措施。 5 时间和频率响应特性 响应时间取决于:主要由载流子的渡越时间&RC时间常数决定 1)光生载流子在耗尽层附近的扩散时间 2)光生载流子在势垒区中的漂移时间 3)与负载电阻RL并联的结电容Cj所决定的电路时间常数。 硅光电池的频率特性 在调制频率较高的场合,应采用硅光电池。 要得到短的响应时间,必须选用小的负载电阻RL; 光电池面积越大则响应时间越大,因为光电池面积越大则结电容Cj越大,在给定负载时,时间常数就越大,故要求短的响应时间,必须选用小面积光电池。 几种国产硅光电池的特性 与光敏电阻的比较 1 、光电池用作太阳能电池 把光能直接转化成电能,需要最大的输出功率和转化效率。即把受光面做得较大,或把多个光电池作串、并联组成电池组,与镍镉蓄电池配合,可作为卫星、微波站等无输电线路地区的电源供给。 2 、光电池用作检测元件 利用其光敏面大,频率响应高,光电流与照度线性变化,适用于开关和线性测量等。 影响太阳能电池效率的一些因素 1、最佳禁带宽度的选择 2、抗反射膜 3、接触面积 4、接触电阻 5、收集电阻 6、太阳电池的光吸收 7、载流子收集 8、表面复合 9、背接触与背场效应 提高太阳能电池转换效率的途径 无机太阳能电池 半导体硅 单晶、多晶、非晶、复合型等) 化合物半导体(GaAs、CuInSe2、CdTe、InP等) 有机太阳能电池 有机半导体(酞菁锌、聚苯胺、聚对苯乙炔等) 光化学太阳能电池(纳米TiO2等) 按照所用材料的不同: 太阳能电池的分类 无机太阳能电池的性能及应用 1. 硅系太阳能电池 单晶硅太阳能电池 优点:转化率高 24.4% ,技术最为成熟 缺点:成本高,基底厚度达350--450μm。 提高转化率的途径:单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺 德国费莱堡太阳能系统研究所保持至世界领先水平 3 非晶硅薄膜太阳能电池 优点:成本低 缺点:转化率低 13% 制备方法:多采用化学气相沉积法,还有液相外延法和溅射沉积法 解决方法:制造叠层太阳能电池 2 多晶硅薄膜太阳能电池 优点:成本低,转化率不衰退 18% 制备方法:多采用化学气相沉积法,还有液相外延法和溅射沉积法 多元化合物薄膜太阳能电池 主要包括:砷化镓、硫化镉、碲化镉及铜铟硒薄膜电池 硫化镉 CdS 、碲化镉 CdSe :镉有剧毒,不理想 砷化镓 GaAs :高转化率 37.4% ,成本高。 能隙1.42eV,光谱响应可见和紫外,温度特性好,已开始用于

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