第9章射频振荡器和混频器吉大通信.pptVIP

第9章 射频振荡器和混频器 振荡器是所有射频系统中最基本的部件之一，它可以将直流功率转化成射频功率，在特定的频率点建立起稳定的正弦振荡，成为所需的射频信号源。 早期的振荡器在低频下使用，考毕兹（Colpitts）、哈特莱（Hartley）等结构都可以构成低频振荡器，并可以使用晶体谐振器提高低频振荡器的频率稳定性。 随着现代通信系统的出现，频率不断升高，现代射频系统的载波常常超过1GHz，这就需要有与之相适应的振荡器。 在较高频率处可以使用工作于负阻状态的二极管和晶体管，并利用腔体、传输线或介质谐振器等构成振荡器，用这种方法构成的振荡器可以产生高达100 GHz的基频振荡。 混频器是射频系统中用于频率变换的部件，具有广泛的应用领域，其可以将输入信号的频率升高或降低，而不改变原信号的特性。 混频器的典型应用是在射频的接收系统中，它可以将较高频率的射频输入信号变换为频率较低的中频输出信号，以便更容易对信号进行后续的调整和处理。 本章将讨论低频晶体管振荡器、微波振荡器和混频器。 9.1 振荡器的基本模型 从最一般的意义上看，振荡器是一个非线性电路，它将直流（DC）功率转换为交流（AC）波形。 振荡器的核心是一个能够在特定频率上实现正反馈的环路，图9.1示出了正弦振荡器的基本工作原理。 图中，具有电压增益A的放大器输出电压为Vo ω ，这一输出电压通过传递函数为H ω 的反馈网络，加到电路的输入电压Vi ω 上，于是输出电压可以表示为 用输入电压表示的输出电压为 由于振荡器没有输入信号，若要得到非零的输出电压，式（9.2）的分母必须为0，这称为巴克豪森准则（Barkhausen criterion）。振荡器由起振到稳态依赖于不稳定电路，这与放大器的设计不同，放大器的设计要达到最大稳定性。 9.1.1 振荡电路的一般分析方法 振荡电路有许多可能的形式，它们采用双极结晶体管（BJT）或场效应晶体管 FET ，可以是共发射极/源极、共基极/栅极或共集电极/漏极结构，并可以采用多种形式的反馈网络。 各种形式的反馈网络形成了考毕兹（Colpitts）、哈特莱（Hartley）等振荡电路，图92所示的基本振荡电路可以代表这些不同电路的一般形式。 9.1.2 使用双极结晶体管的共发射极振荡电路 若X1和X2为电容，X3为电感，就得到了考毕兹（Colpitts）振荡器；若X1和X2为电感，X3为电容，就得到了哈特莱（Hartley）振荡器。 1．考毕兹（Colpitts）振荡器 必须强调以上的分析是基于相当理想的假设得到的，实际振荡器需要考虑一些其他因素，例如晶体管的输入导纳有虚部而不是纯实数、晶体管特性随温度有变化、电路有耦合、电感和电容有损耗等。为考虑上述诸多因素，可以借助计算机辅助设计软件完成设计。 9.1.3 使用场效应晶体管的共栅极振荡电路 共栅极场效应晶体管振荡电路，要求式（9.4）中的V1 0，同样用V3 V4给出反馈路径。 另外，场效应晶体管的输入导纳可以忽略，近似取Gi 0，但场效应晶体管的输出导纳不能忽略，Go≠0。 由以上条件，式（9.4）可以降为2阶矩阵方程，变为 9.1.4 晶体振荡器 为了提高频率稳定性，常将石英晶体用于振荡电路中。石英晶体谐振器具有许多优点，包括具有极高的品质因数（可以高达105）、良好的频率稳定性和良好的温度稳定性等，因而晶体控制振荡器得到广泛采用。 但遗憾的是，石英晶体谐振器属于机械系统，其谐振频率一般不能超过250MHz。 石英晶体谐振器由安装在2个金属板之间的石英切片构成。石英晶体具有在电场的作用下发生机械形变的压电效应，通过压电效应可以在晶体中激励机械振荡，根据晶体的几何形状和切割方向，石英会具有不同的纵向或切向谐振频率。 9.2 微波振荡器 当工作频率接近1GHz时，电压和电流的波动特性不能忽略，需要采用传输线理论描述电路的特性，因此需要讨论基于反射系数和S参量的微波振荡器。 微波振荡器的内部有一个有源固态器件，该器件与无源网络配合，可以产生所需要的微波信号。由于振荡器是在无输入信号的条件下产生振荡功率，因此具有负阻效应。 若一个器件的端电压与流过该器件的电流之间相位相差180°，该器件称为负阻器件，微波三端口负阻器件包括双极结型晶体管、场效应晶体管等，微波二端口负阻器件包括隧道二极管、雪崩渡越二极管和耿氏二极管等。 利用三端口负阻器件可以设计出微波双端口振荡器，利用二端口负阻器件可以设计出微波单端口振荡器。 9.2.1 振荡条件 1. 双端口振荡器振荡条件 双端口振荡器如图9.6所示，由晶体管、振荡器调谐网络和终端网络三部分组成。 若使图9.6所示的双端口振荡器产生振荡，需要满足3个条件