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电力电子创新与下一代先进电力设备 摘要： 新一代电力设备近几年的研究已经取得显著进步，特别是在宽带隙晶体电力设备方面，像碳化硅和氮化镓的设备作为新颖的硅设备像一个超级结FET。　PCE的小功率转换器开关电源供应1970年初是在60%现在超过90%宽的带隙半导体材料显示未来的电力电子技术的进步电力电子技术的创新可能性　　新一代先进的电力设备电力电子技术的创新可能性新一代先进的电力设备聚焦到一个进在输出功率密度(百分之) 新指标未来电力电子路线图A）电力设备的发展 如图Fig.1所示，随着硅技术的进步，功率半导体设备已经取得显著的发展。发展的历史可以被分为三个阶段。第一阶段是从1950年到1960年是孕育阶段。半导体设备包括电力设备的关键技术在这一阶段几乎形成。第二阶段是从1970年到1980年末，可以叫做成长阶段。作为快速发展的主要结果，例如MOSFET，IGBT的，GTO和轻的设备触发晶闸管，每一个需要电源转换要求，基本满意出场这些设备。第三阶段是从1990年初到现在，是完全成长阶段。大力度实现更高的性能的设备在进行。导通电阻阻断电压的MOSFET，比几十伏时减少十五分之一。一个10兆瓦级的IGBT变流器是目前市售作为IGBT与更低的功耗和更高的处理能力能力的了不起的进步的结果。100兆瓦级GTO逆变器现在也是在市场。 （B）一个新品质因数的电力电子 P