半导体器件(二、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放).doc

半导体基本知识和 半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放） 一、选择题： 1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（ ）。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（ ） A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 4、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。 A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定 5、在绝对零度（0K），。 A.B.没有 C.少数 D.多数 6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ ）。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小输出电阻 7、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏状态的。 A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管 8、当晶体管工作在放大区时，（ ）。 A. 发射结和集电结均反偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结和集电结均正偏 D.发射结反偏，集电结正偏 9、稳压二极管稳压时，其工作在( )， A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定 10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路。 A.差放 B.正弦 C.数字 D.功率放大 11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。 A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（ ）。 A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 14、如右图所示复合管，已知V1的(1 = 30，V2的(2 = 50，则复合后的(约为（ ）。 A．1500 B.80 C.50 D.30 15、发光二极管发光时，工作在( )。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D．不确定 16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零 17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ） 。 A. 非饱和区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区 18、稳压二极管稳压时，其工作在( )。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.饱和区 19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ ） A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻 20、测得BJT各电极对地电压为：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该BJT工作在（ ）状态。 A.截止 B.饱和 C.放大 D. 无法确定 21、FET是（ ）控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场 22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ ）。 A.电阻大 B. 功率大 C. 电压高 D.功率小 23、二极管的电流方程是（ ）。 A． B. C. D. 24、FET是（ ）控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场 25、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C.发射结反偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结正偏 26