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深圳深爱半导体有限公司-李国延双极功率管o-sipos氧化法表面钝化
双极功率管O-SIPOS氧化法 表面钝化 报告人：李国延 单位：深圳深爱半导体有限公司 O-SIPOS组成及特性 SIPOS是半绝缘多晶硅（semi -insulating poly silicon）的缩写，是一种准新型芯片表面钝化膜 ，最早是在1976年由日本的Mastsushita等人正式提出，目前国内在双极功率管上使用掺氧的 SIPOS——O-SIPOS最早、使用面积最大的应该就是我们公司 O-SIPOS成分组成 关于O-SIPOS薄膜含氧量的一般提法为 15%-35%，并且可以使用BHF进行刻蚀 早期的成分测试和刻蚀状况 目前的测试成分与讨论 特有的钝化PN结击穿特性 击穿电流仿真 正常击穿 三角击穿 目前使用中的一些问题 常规使用中表面钝化示意图 新的SIPOS氧化实验思路 氧化前 氧化后 测试结果 QT2测试图形 多条件对比再试 980℃ 30分钟湿氧氧化，氧化层和未氧化的SIPOS的厚度比大约是3：1 920℃30分钟湿氧，氧化层和SIPOS的比大约是2：1 920℃30分钟湿氧，氧化层和SIPOS的厚度比则大约是1：1 进一步确认 800℃40分钟湿氧 降低温度同时增加氧化时间，BVcbo常高温击穿特性没有任何问题，但仍然存在一定程度的BVceo的负阻现象 820℃25分钟湿氧 温度不变，减少氧化时间到25分钟， BVcbo高温击穿的耐压特性进一步提高， BVceo的负阻现象几乎没有，并做全流程跟踪和例行可靠性试验，一切正常 讨论 O-SIPOS的湿氧氧化速度的规律，即为同样条件下单晶硅的4~6倍 氧化层和剩余的O-SIPOS厚度之比的最佳值为1：1左右 此工艺用在高压功率管上时的最佳氧化温度在820℃附近 谢谢大家！ * * *
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