分项计画3「 铁电超晶格」期中进度报告子计画主持人赖志煌助理教授.doc

分項計畫3：「 鐵電超晶格」期中進度報告??????????????? 子計畫主持人:賴志煌助理教授 賴志煌助理教授（C. H. Lai）? La1-xCaxMnO3之研究 ? ? ◎ Total pressure：15 mTorr ? ◎ rf power：70 W ? ◎ O2/Ar ratio：0.2 Substrate temperature 550℃ 600℃ 650℃ 經由一連串的實驗我們發現，基板溫度必須要高於550℃，濺鍍出來的薄膜才會成為結晶態，基板溫度低於550℃著，成長出來的薄膜皆為非晶態。基板溫度越高，濺鍍出來的薄膜結晶性也越佳。從XRD θ-2θ掃描來看，隨著鍍膜時基板溫度的升高，La1-xCaxMnO3（001）、（002）C軸取向越佳的薄膜。 接著我們量測在不同的基板溫度下濺鍍的La1-xCaxMnO3薄膜，電阻率對溫度作圖。我們可以很清楚的觀察到，隨著溫度降低，La1-xCaxMnO3薄膜的電阻率呈現遞增的趨勢（dρ/dT＜0）（TCR） ? 　 ? ? ?（550 12.35Ωcm）；（650 1.10Ωcm）；（700 0.79Ωcm）550℃→13nm；650→40nm；700→52nm。 ? 　 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 我們將電阻率對溫度的變化的數據代入半導體傳導模型、小偏振子模型（small polaron model）去做計算，從實驗數據來看我們的實驗結果較符合小偏振子模型的傳導行為。當溫度高於TC時La1-xCaxMnO3為順磁性，從小偏振子模型的描述，其電阻率可表示為： ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????(1) 而根據TCR的定義：??????????????????????????????????????????? ?(2) 因此結合公式(1) (2)，我們可導出： TCR = (1/T) – (Ea/kT2) ?????????????????????????????????????????????????????????????????(3) 所以當Ea值越大時TCR值也會越大。 接下來我們取㏑(ρ/T)Ea/k。在我們觀察到當晶粒尺寸越大時，其具有較低的Ea值，而從小偏振子模型（small polaron model）Ea值代表偏振子跳躍到下一個位置所需的活化能。因此我們可以想像當偏振子在晶體中傳導，若晶體的晶粒越小，則晶界數目越多，偏振子傳導時會受到較大的阻力，所以會需要較大的活化能（Ea） ? ? ? ? ? ??? 目前我們鍍製的La1-xCaxMnO2還是屬多晶態，所以接下來的工作將著重於磊晶薄膜的製作。一般而言，這類磊晶薄膜的製作需要特殊的基板，如MgO、SrTiO3、LaAlO3。但這類基板的價格相當昂貴，所以中間層的想法就隨之而生，其中最成功的例子便是MgO在Si基板上磊晶。而MgO的高溫穩定度及擴散阻絕性，使其成為絕佳的中間層。但MgO有易水解的缺點，為解決此問題，我們決定使用NiO。NiO與MgO具有相同的結晶結構(rocksalt)，相近的晶格常數(差異1%)，且不會有水解的問題。故接下來的工作，我們將著重於新中間層NiO/Si的開發，並在開發成功後，將之用於La1-xCaxMnO2的磊晶薄膜製作。 圖4-1.3 基板溫度 （a）550℃ （b）650℃ （c）700℃ SEM top view （a）550℃ grain size：13nm （b）650℃ grain size：40nm （c）700℃ grain size：52nm