功率LED静电保护方法研究.docVIP

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2017-06-08 发布于重庆
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功率LED静电保护方法研究

浙江大学研究生读书报告记录表学院信电系座机电话号码培养类型硕士生王廷宇姓名朱大中 2008-11-17 读书报告状态学科功率LED静电保护方法研究静电损伤是影响光电子器件稳定性的主要原因之一，对功率LED也不例外。大功率LED的静电损伤主要是由局部电流密度过大引起的，当前LED的静电防护主要基于：为LED芯片并联一个电路，如二极管提供泄流限压的作用；改进LED芯片的设计，改善电流横向分布，避免局部电流密度过大产生损伤。其方法主要有：在GaN基LED芯片中集成GaN肖特基二极管，该设计虽较大地提高了器件的耐静电压强度，但同时会损害器件的其他性能。在GaN的p型层及n型层采用量子阱结构，此结构虽然有效地提高了LED的耐静电能力，但会造成发光强度的降低。在倒装结构中的硅sub-mount上集成齐纳二极管，这种方法能够有效地避免LED的静电损伤并提供过电压保护，而且背靠背齐纳二极管在硅sub-mount集成节约了空间，工艺成熟，制作简单，成本低，为众多LED生产厂商所采用。对于倒装大功率LED，改善版图设计，改进工艺，并在硅sub-mount上集成背靠背的齐纳二极管将非常有效地提高器件的抗静电能力和稳定性。而对于正装结构，改善版图设计，改进工艺，并联独立的二极管是简单而有效的静电防护方法。研究生科意见浙江大学研究生培养处制表