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半导体业污染防治期末考
97半導體業污染防治期末考 簡答題:
BACT須考量那三方面之衝擊 3* 。BACT為”top-down”程序，寫出五個步驟。 3*5
CVD製程所產生的特殊毒性氣體常用乾式吸附法處理，其中Rikasole方法使用矽藻土當為載體，浸漬於FeCl3內，以AsH3為例，寫出其吸附反應 a 及再生反應式 b ，Rikasole被乾燥時，吸附性能會降低，因此需要在Rikasole塔前安裝何種設備 c 。 3*5
a. b. c.
某半導體廠欲使用離子交換樹脂處理含高濃度的HF廢水，需選用那種離子交換樹脂 陽離子或陰離子 ？當此樹脂飽和時欲使用HCL再生，則須選擇上述樹脂中的那一種？ *2
半導體業其VOCs之排放標準為何？10﹪
簡略畫出目前半導體製造及代工業最有效處理其所排放有機廢氣之設備圖，並簡述其作用原理。25﹪
填下列常見處理汙染物方法之原理與適用範圍4*6 24%
處理方法 基本原理 可應用濃度範圍 ppm 吸附 吸收 冷凝
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