何谓发光二极体加工.docVIP

何謂發光二極體 一個典型的發光二極體，包含晶粒、封裝體、金線、支架等，主要發光的部分則是封裝體裡面的晶粒。封裝體的主要成分是環氧樹酯，用來固定支架，且可以把封裝體的頂端製成可聚光的透鏡，以控制LED 的發光角度。金線是把電流由支架導入發光晶粒，聚光碗杯則是把LED 發出的光線反射至上方出光，以增加發光效率。隨著應用的不同，封裝體可以任意改變成為不同的型態。 一顆LED 的主要發光源是晶粒，而晶粒依材料不同會發出不同波長，也就是不同顏色的光。可見光的波長範圍從400 奈米到700 奈米，依序是紫、靛、藍、綠、黃、橙、紅。以氮化鎵LED 為例，它可以發出藍光或綠光，鋁銦鎵磷LED 則可以發出紅光、綠光或黃光。諸如此類，可以利用材料的選擇製作出不同色光的發光二極體。 LED的發光原理 LED是利用電能轉化為光能的方式發光。發光二極體晶粒的組成材料是半導體，其中含有帶正電的電洞比率較高的稱為P 型半導體，含有帶負電的電子比率較高的稱為N 型半導體。P 型半導體與N 型半導體相接處的接面稱作PN 接面。在發光二極體的正負極兩端施予電壓，當電流通過時，會使得電子與電洞結合，結合的能量便以光的形式發出，依使用材料的能階高低決定發光的波長，因此就會發出不同顏色的光。 大多數的發光二極體歸類於三五族半導體，因為它們的組成元素屬於周期表中的三族及五族，三族元素如鋁、鎵、銦等，五族元素如砷、氮、磷等。磷化鎵與鋁砷化鎵，因為亮度低，開發時間早，且內含2種或3 種元素，多稱為傳統二元或三元LED。而鋁銦鎵磷因發光亮度較高，且由4種元素組成，多稱為四元LED。氮化鎵材料則因為可以發出以上材料不能發出的藍光，一般另稱為氮化物LED。 LED的製作方法 發光二極體主要由晶粒發光，在此以氮化鎵LED 為例，簡介其中晶粒的製作方法發光二極體是半導體材料，需要先進行磊晶成長，也就是在基板上成長P型及N型半導體。氮化鎵LED 多成長在藍寶石基板上，成長的方法以有機金屬化學氣相沉積法（metal organic chemical －vapor deposition,MOCVD）為大宗。 MOCVD是用來沉積出薄膜的技術，這薄膜可能是介電材料（絕緣體）、導體或半導體。在進行化學氣相沉積時，把含有被沉積材料的氣體，導入受到嚴密控制的反應室內。當這些氣體在受熱的基板表面上起化學反應時，會在基板表面產生一層固態薄膜。 成長完氮化鎵磊晶片後，需要進行晶粒製程，把磊晶片製成一顆顆的發光二極體晶粒供下游封裝。 晶粒製程可分為電極製作的前段製程，以及把磊晶片分割為獨立晶粒的後段製程兩部分。前段製程包含許多黃光、蒸鍍、蝕刻、剝離等製程，因此需要在無塵室等級的環境下製作。而後段製程需要避免製作過程中的靜電損傷元件，因此特別注重靜電防護的問題。 晶粒製程流程　圖（1）中的磊晶結構圖（2）中的高台（或高原mesa）蝕刻，再如圖（3）所示鍍上透明電極，其中TCL 是透明導電層（transparent conductor layer）的縮寫，最後如圖（4）所示加上保護膜和金屬接墊。製作完成的發光二極體晶粒由於體積相當小，無法單獨拿取保存，因此多使用膠膜做為晶粒的承載物 氮化鎵LED 使用的基板材料是藍寶石，因為藍寶石不導電，無法在上面製作電極，必須利用較複雜的技巧把正負兩電極製作在同一平面上，使得製程較為繁雜。一般做法是使用乾式蝕刻機把表面的P型半導體部分區域挖除，露出底下的N 型半導體，再在P及N型半導體上製作電極，使得電流可以導通而發光。 氮化鎵發光二極體磊晶片成長流程，圖中MQW是multiple quantum well（多量子井）的縮寫， PL（photo luminescene）是光激發光譜儀，用來量測待測材料結構的發光光譜。 片 成長完畢進行測試的氮化鎵磊晶片 用氮化鎵(GaN)形成的藍光LED LED製程 在LED工廠生產中主要步驟是：清洗－裝架－壓焊－封裝－銲接－切膜－裝配－測試－包裝。其中封裝工藝尤為重要 一、晶片檢驗 鏡檢：材料表面是否有機械損傷及細微的坑洞。 二、擴片 由於LED晶片在劃片後依然排列緊密間距很小（約0.1mm），不利於後工序的操作。我們採用擴片機對黏結晶片的膜進行擴張，是LED晶片的間距拉伸到約0.6mm。也可以採用手工擴張，但很容易造成晶片掉落浪費等不良問題。 三、點膠在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠。（對於GaAs、SiC導電襯底，具有背面電極的紅光、黃光、黃綠晶片，採用銀膠。對於藍寶石絕緣襯底的藍光、綠光LED晶片，採用絕緣膠來固定晶片。）製程難點在於點膠量的控制，在膠體高度、點膠位置均有詳細的