EDA第七章技术总结.ppt

第七章 微波控制电路 微波控制电路根据其用途分类，主要包括以下三种情况： 微波信号传输路径通断或转换——微波开关 控制微波信号的幅度大小——电控衰减器，限幅器等。 控制微波信号的相位——数字移相器。 PIN二极管结构 PIN管的工作机理是：在零偏压时，由于扩散作用，P区的空穴和N区的电子分别向I区扩散后复合，这样在I区边界附近建立起一电场。由于这一建立起来的电场阻碍空穴和电子继续向I层注入，因此最终会达到动态平衡，因此本征区处于不导电状态，在加反向偏压时，不导电的程度更甚。但是在微波频率的特性却有很大差别。 结论： PIN管在直流电压作用下，零偏压呈现高阻，反向偏压时阻抗加大，正偏时呈现低阻，且偏流越大，阻值越低。在微波信号作用下管子的阻抗主要取决于直流偏置的极性和大小，而与微波信号幅度几乎无关。 通断开关，如单刀单掷（SPST）开关，其作用是控制传输系统中微波信号的通断；其典型应用为微波信号源用的脉冲调制器； 转换开关，如单刀双掷（SPDT）开关。其典型应用为雷达发射机和接收机共用天线的收发转换开关。 从电路形式分有：串联型开关、并联型开关、串/并联型开关； PIN管实际上存在有一定数值的电抗及损耗电阻，因此开关电路在导通时衰减不为零，称为正向插入损耗L，定义是开关导通时传到负载的实际功率与理想开关传到负载的功率之比： 式中， ——输入信号的信源资用功率； ——输出功率。 开关在断开时衰减也并非无穷大，称之为隔离度，当 为开关断开时负载上的实际功率时，上式表示开关的隔离度。 串联型： 由单元元件S参数（S21）定义，可得串、并联型开关的插入损耗分别是 多管单路开关 ：即采用多管单路形式以改善开关隔离度。 两管并联组成的并联开关可视为两只级联的PIN管并联开关，其A参数归一化矩阵可写为 根据二端口网络A矩阵与S矩阵的换算关系可得 MESFET开关是三端器件，由栅压控制开关状态，典型开关特性是负偏压时（ ），栅偏压大于截止电压，对应高阻抗状态；零栅压时对应低阻抗状态，都处于器件的线性工作区。不论器件处于导通和截止的哪种状态，均不需直流偏置功率，因此可归入无源部件类。 要有一定的相移量，且移相精度高； 相移变化时要求开关转换时间短，驱动信号功率小； 在工作频带内，输入驻波比低，插入衰减小； 结构小型化，电控性能好。 工作频带：指移相器的技术指标下降到允许边值时的频率范围。 相移量：指输入信号和输出信号的相位差。 相移精度：对于一个固定频率点，相移量各步进值围绕各中心值有一定偏差；在频带内不同频率时，相移量又有不同数值。相移精度指标有时采用最大相移偏差来表示，也就是各频率点的实际相移和各步进值的最大偏差值；有时给出的是均方根误差，则是指各步进值相位偏差的均方根值。 移相器开关时间：移相器是由微波开关构成，所以移相器的开关时间基本上取决于开关的转换时间。 寄生调幅 ： 从网络的A矩阵出发有 图（b）电路应与图（c）电路等效，而图（c）电路的A矩阵可写为 比较两式矩阵元素应相等，可得 由此可求相移量 根据网络的归一化A矩阵，有 式中， 和 分别为电抗和电纳的归一化值。 网络的传输系数S21用归一化A矩阵参数表示为 传输线相位为 当开关转换时，低通滤波网络变为高通滤波网络， 和 同时改变符号，相移的大小不变，但符号改变。 §7.5微波电调衰减器 用电信号控制衰减量的衰减器称为电调衰减器。 在电调衰减器中，电控信号大多是连续可调的，以实现衰减量的连续可调。 电调衰减器主要用于电路系统的自动增益控制、放大器增益变化的温度补偿等。 电调衰减器既可以是连续可调的，也可以是数字式的。 电调衰减器可以采用PIN二极管或各种三极管来实现。 衰减动态范围 ：指最大衰减量（用dB表示）和最小衰减量（用dB表示）之差。 衰减线性度 ：衰减与外加偏压呈线性关系。 驻波比 ：反射型衰减器驻波比很差，需外加隔离器使用。吸收型衰减器驻波比好，性能优越，应用广泛。 衰减频带与平坦度 ：电调衰减器的衰减频带是指在频带内各频率点处的衰减量一致，在衰减量改变时，仍能保持均匀衰减。平坦度是指工作频带内衰减量的起伏，经常用最大起伏来表示平坦度的优劣。 功率范围 ：电调衰减器承受功率的范围。 电控衰减器按照产生衰减的物理原因可分成反射型和吸收型。在反射型衰减器中，衰减主要由PIN管的反射形成，在吸收型衰减器中，衰减则主要由PIN管的损耗形成。 图中网络的衰减为 π型衰减器 图中电阻R1和R2分别代表三个PIN管，从AA?截面向右看的阻抗为ZA，为了实现输入