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重庆大学电磁场题答案习题(第5章)
第五章习题答案
5-1解:
穿过速度v运动的矩形线框的磁链为:
所以,线框的感应电动势为:
5-2 如题图所示,一半径为a的金属圆盘,在垂直方向的均匀磁场B中以等角速度旋转,其轴线与磁场平行。在轴与圆盘边缘上分别接有一对电刷。这一装置称为法拉第发电机。试证明两电刷之间的电压为。
证明:,选圆柱坐标,
其中
证毕
5-3解:
平板电容器极板间的电场强度为:
则位移电流密度为:
5-4 一同轴圆柱形电容器,其内、外半径分别为、,长度,极板间介质的介电常数为,极板间接交流电源,电压为。求时极板间任意点的位移电流密度。
解法一:因电源频率较低,f=50Hz为缓变电磁场,可用求静电场方法求解。忽略边沿效应,电容器中的场为均匀场,选用圆柱坐标,设单位长度上内导体的电荷为,外导体电荷为,因此有
所以 ,
当时
解法二:用边值问题求解,即
由圆柱坐标系有 (1)
解式(1)得
由边界条件得:
所以
当时
5-5由圆形极板构成的平板电容器见题图所示,其中损耗介质的电导率为、介电系数为、磁导率为,外接直流电源并忽略连接线的电阻。试求损耗介质中的电场强度、磁场强度和坡印廷矢量,并根据坡印廷矢量求出平板电容器所消耗的功率。
解:由于电容器两端的电压为直流电压,因此没有位移电流,只有漏电流。
由 知 ,
电流强度均匀分布且垂直于极板,在介质内部,
电场强度为:
在任意一点的电流密度:
利用安培环路定律可得任一点的磁场强度为:
故
所以玻印亭矢量为:
外部空间进入电容器的总功率,即电容器消耗的功率为:
负号表明电容器吸收功率。
由于电容器的电导为:
故:
5-7解:
设球形电容器内的传导电流为I,取以坐标原点O至介质中任意点的距离为半径的球面,有:
于是,传导电流密度为:
电场强度为:
所以
于是可得:
位移电流密度为:
故可得位移电流为:
全电流为:
5.8:采用圆柱坐标系:
极板间的电场为:
故位移电流为:
应用全电流定律:
故
5-9 在交变电磁场中,某材料的相对介电常数为,电导率为。分别求频率、以及时位移电流密度和传导电流密度的比值。
解:令交变电磁场的电场强度为
传导电流JC和位移电流JD分别由以下公式计算:
所以位移电流密度和传导电流密度的幅值比为:
分别将三种频率代入上式中得:
5-11题图所示的一对平行长线中有电流。求矩形线框中的感应电动势。
解:在圆柱坐标中,由无限长直导线产生的磁感应强度为
左边一条产生的
右边一条产生的
左边导线对矩形框产生的磁通
右边导线对矩形框产生的磁通
所以矩形框的磁通
所以
5-13 真空中磁场强度的表达式为,求空间的位移电流密度和电场强度。
解:由 得
又由:,
所以
因为无恒定场分量,所以
所以
5-14 已知在某一理想介质中的位移电流密度为,介质的介电常数为,磁导率为。求介质中的电场强度和磁场强度。
解: 由得
,
又由可得
所以:
5-16 半径为,厚度为、电导率为的导体圆盘,盘面与均匀正弦磁场正交,如题图所示。已知,忽略圆盘中感应电流对均匀磁场的影响,试求:(1)圆盘中的涡流电流密度;(2)涡流损耗。
解:选圆柱坐标,由于盘面与均匀正弦磁场正交,有变化的磁场产生的电场就只有方向分量,且为半径的函数
求解可得:
所以
5-17 由圆形极板构成的平行板电容器,间距为d,其间的均匀介质,电导率为,介电常数为,磁导率为,当外加电压为V时,忽略电容器的边缘效应。试求电容器中任意点的位移电流和磁感应强度(假设变化的磁场产生的电场远小于外加电压产生的电场)。
解: , (1)
, (2)
方向 :E和J的方向相同,从高电压方向指向低压方向。由全电流定律:
即:
由此解得:
故电容器中任意点磁感应强度为:
5-18 已知大地的电导率,相对介电常数,试问可把大地视为良导体的最高工作频率是多少?
解:由题意知满足磁准态场的条件:由时,大地可视为良导体,在工程中可以认为取两个数量级时,可认为满足远远小于条件,即:
所以: Hz
5-19 (1)长直螺线管中载有随时间变化相当慢的电流。先用安培环路定律求半径为a的线圈内产生的磁准静态场的磁感应强度,然后利用法拉第定律求线圈里面
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