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第四章习题输运现象
第四章习题
试计算本征Si在室温时的电导率,设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V·s和500cm2/V·s。当掺入百万分之一的As后,设杂质全部电离,试计算其电导率比本征Si的电导率增大了多少倍?
电阻率为10Ω·m的p型Si样品,试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。
试从图4.14求杂质浓度为1016cm-3、℃ 和+150℃时的电子和空穴迁移率。
1 电子的平均动能为 3/2 kT,若有效质量为0.2m0。求电子热运动的均方根速度。 2 求迁移率为1000cm2/V·s的载流子在103V/cm的电场下的漂移速度。 3 比较两者的大小。
说明电离杂质散射和声学波散射的基本特点,两者 、 的温度关系,起主要作用的温度范围,在 -T、 -1/T曲线中的表现。
设,讨论r为正和负时,高能量的载流子荷载电流作用的相对大小。
假定在掺杂浓度不均匀(掺杂浓度为N x )的N型半导体中,在室温时杂质完全电离。求出热平衡状态时半导体内的电势、电场分布的表达式,并定性画出其平衡能带图、电势和电场分布图。设在x 0处电势为0(电势参考点),载流子浓度分别为为n和p,在x x0处的电势为V,求x x0出的载流子浓度表达式。
一维过剩载流子的扩散分布,说明相应梯度的绝对值随x减小,因而扩散电流随x减小,并从物理上说明产生这种现象的原因。证明在x 0的范围内,单位时间内复合掉的载流子数量等于x 0处扩散流的大小。
设室温下,Si中过剩载流子寿命为1 s。 1)若多子浓度为1015/cm3,少子浓度为零,求室温下,电子-空穴对的产生速率。2)在无外场一维稳定扩散分布的讨论中,为何只考虑少子的扩散运动?多子又如何?
画出p型半导体在光照(小注入)前后的能带图,标出原来的费米能级和光照时的准费米能级。
由于光的照射在半导体中产生了非平衡载流子,分别计算施主掺杂浓度ND 1016cm-3的n型硅和本征硅,这种情况下准费米能级的位置,并和原来的费米能级作比较。画出相应的能带图。
设空穴浓度是线性分布,在内浓度差为1015cm-3,。试计算空穴扩散电流密度。
从子系化学势的角度,讨论以下几种情形下是否有载流子的净复合或净产生。n, p ni;2 n n0, p p0, 但np ni2;3 n n0, p p0, 但np ni2;4 n, p ni
考虑热平衡情形,证明: 其中分别为电子和空穴的发射概率,为电子和空穴的热激发运动速度,为电子和空穴的俘获截面,为复合中心能级。分别讨论及的复合特征。
假设, 证明在稳定情形下的净复合率
,其中Nt是复合中心态密度;
并以此为基础讨论产生过剩载流子净复合和净产生的主要物理因素。
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