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第四章习题 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V·s和500cm2/V·s。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征Si的电导率增大了多少倍？ 电阻率为10Ω·m的p型Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。 试从图4.14求杂质浓度为1016cm-3、℃ 和+150℃时的电子和空穴迁移率。 1 电子的平均动能为 3/2 kT，若有效质量为0.2m0。求电子热运动的均方根速度。 2 求迁移率为1000cm2/V·s的载流子在103V/cm的电场下的漂移速度。 3 比较两者的大小。 说明电离杂质散射和声学波散射的基本特点，两者 、 的温度关系，起主要作用的温度范围，在 －T、 －1/T曲线中的表现。 设，讨论r为正和负时，高能量的载流子荷载电流作用的相对大小。 假定在掺杂浓度不均匀（掺杂浓度为N x ）的N型半导体中，在室温时杂质完全电离。求出热平衡状态时半导体内的电势、电场分布的表达式，并定性画出其平衡能带图、电势和电场分布图。设在x 0处电势为0（电势参考点），载流子浓度分别为为n和p，在x x0处的电势为V，求x x0出的载流子浓度表达式。 一维过剩载流子的扩散分布，说明相应梯度的绝对值随x减小，因而扩散电流随x减小，并从物理上说明产生这种现象的原因。证明在x 0的范围内，单位时间内复合掉的载流子数量等于x 0处扩散流的大小。 设室温下，Si中过剩载流子寿命为1 s。 1）若多子浓度为1015/cm3，少子浓度为零，求室温下，电子-空穴对的产生速率。2）在无外场一维稳定扩散分布的讨论中，为何只考虑少子的扩散运动？多子又如何？ 画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的费米能级和光照时的准费米能级。 由于光的照射在半导体中产生了非平衡载流子，分别计算施主掺杂浓度ND 1016cm-3的n型硅和本征硅，这种情况下准费米能级的位置，并和原来的费米能级作比较。画出相应的能带图。 设空穴浓度是线性分布，在内浓度差为1015cm-3，。试计算空穴扩散电流密度。 从子系化学势的角度，讨论以下几种情形下是否有载流子的净复合或净产生。n, p ni；2 n n0, p p0, 但np ni2；3 n n0, p p0, 但np ni2；4 n, p ni 考虑热平衡情形，证明： 其中分别为电子和空穴的发射概率，为电子和空穴的热激发运动速度，为电子和空穴的俘获截面，为复合中心能级。分别讨论及的复合特征。 假设， 证明在稳定情形下的净复合率 ，其中Nt是复合中心态密度； 并以此为基础讨论产生过剩载流子净复合和净产生的主要物理因素。