2013集成电路分析与设计试卷A答案.docVIP

2013 集成电路分析与设计 试卷A 答案 一．填空题（每空分，共分）NMOS管的沟道调制效应？写出NMOS管的具有沟道调制效应漏极电流的计算公式。 答：在MOS管工作于饱和状态时，MOS管的导电沟道会发生夹断，且夹断点的位置随栅漏间的电压差的增加而向源极移动，既有效沟道、长度实际上是Vds的函数。这一效应称为“沟道调制效应”。（2分） 该效应下，漏极电流的计算公式： （2分） 2、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？ 答：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同，当VB变得更负时，VTH增加，这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管的阈值电压。（4分） 3、什么是等效跨导Gm？ 答：对于某种具体的电路结构，定义为电路的等效跨导，来表示输 入电压转换成输出电流的能力。（4分） 4、如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z1=Z/(1-AV)，Z2=Z/(1-AV-1)，其中AV=VY/VX。这种现象可总结为密勒定理。（4分） 5、什么是亚阈值导电效应？ 答：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGSVTH时，ID也并非是无限小，而是与VGS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。（4分） 三．（共分） M1沟道调制效应，分析并推导M1的三个工作区域，以及画出该电路的输入输出特性曲线。（10分） 答：