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实验一 MOS管的基本特性 班级 姓名 学号 指导老师 一、实验目的 1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法； 2、熟练掌握MOS管基本特性； 二、实验内容及要求 NMOS 的特性：Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）。 （1）Vgs 0,没有导电沟道 此时栅源短接，源区，衬底和漏区形成两个-g i d 背靠背的 PN 结，无论 Vds 的极性怎样，其中 总有一个 PN 结是反偏的，所以 d,s 之间没有 形成导电沟道， MOS 管处于截止状态。 （2）Vgs≥V GS th），出现 N 沟道 栅源之间加正向电压由栅极指向 P 型衬 P 衬底 底的电场将靠近栅极下方的空穴向下排 斥形成耗尽层。 再增加 Vgs →纵向电场。 将 P 区少子（电子）聚集到 P 区表面*Sample netlist for GSMC .TEMP 25.0000 .option abstol 1e-6 reltol 1e-6 post ingold .lib gd018.l TT * --- Voltage Sources --- vdd VDD 0 dc 1.8 vgs g 0 0 vds d 0 dc 0.9 vbs b 0 dc 0 * --- Inverter Subcircuit --- Mnmos d g 0 b NCH W