2.异质结详解.ppt

第二章 异质结 p-n结的一些基本概念 p-n结：由p型材料和n型材料相接触而形成的分界层，实际往往由掺杂的办法来得到。?? 同质结：同类材料而导电类型相反的p-n结。 ?? 异质结：两种不同类半导体材料所形成的p-n结。 异质结需要关注两种不同半导体材料性能参数的匹配等问题。 异质pN结的注入特性 1 ．异质pN结的高注入比特性 二.表面态 （1）从能带角度 当晶体存在表面，在垂直表面方向成了半无限周期势场 表面存在而产生的附加电子能级－表面能级 对应的电子能态－表面态 （2）从化学键角度 表面是原子周期排列终止的地方 未饱和键－悬挂键 纯净表面的表面态密度为 实际表面的表面态密度为 三.表面电场效应 1.表面电场 （1）表面态与体内电子态之间交换电子 （2）金属－半导体接触 （3）MOS结构和MIS结构 2.空间电荷层及表面势 （1） n型 P型 A:电子从体内转移到表面态 －表面受主态 B:正空间电荷层 C:表面势为Vs， Vs 0 D:空间电荷层能带弯曲 形成电子势垒和空穴势阱 n型 p型 A:电子从表面态转移到体内 B:负空间电荷层 C:表面势Vs， Vs 0 D:形成电子势阱和空穴势垒 －表面施主态 n型 p型 空穴 势垒 电子 势阱 （2） n型 p型 3.空间电荷层内载流子浓度的变化 体内 在空间电荷层内，电势能变化 空间电荷层处于多子堆积状态 －积累层 －参考能级 4.表面空间电荷层的三种基本状态 以p型为例 （1）积累层 能带从体内到表面上弯 反 型 层 耗 尽 层 （3）反型层 n型导电性 反型层 耗尽层 （2）耗尽层 能带从体内到表面下弯 空间电荷层处于多子耗尽状态 －耗尽层 由于界面态的存在会对从宽带隙向窄带隙半导体的载流子注入与复合产生影响，使非辐射复合速率增加，从而使内量子效率降低。 越过势垒的空穴在n区内复合 ii. 越过势垒的空穴与界面态复合 iii. 隧穿势垒的空穴在n区内复合 iv. 隧穿势垒的空穴与界面态复合 实际的异质结中有四种复合过程引起复合电流 尽管由异质结界面态引起的载流子复合损耗只占整个复合电流的一小部分，但当双异质结激光器的有源区特别薄时，这种复合的影响就变得突出。 可以用界面复合速度来表征由于晶格失配所造成的载流子的非辐射损失。如果由宽带隙半导体向窄带隙半导体注入电子，单位能量间隔内的界面态密度为NIS，则由界面态对注入载流子的复合速度为 式中?n为电子的俘获截面，vth为电子的热运动速度，积分在所有可能的界面态能量范围内进行。 晶格失配率 （百分比） 考虑在（100）面上生长异质结，假设每一与位错有关的态形成一个非辐射复合中心，则晶格失配所造成的界面复合速度可近似表示为 可以看到，由界面态引起的非辐射复合速度与晶格失配程度?a/a0成正比。 设vth 1017cm/s， ?n 10-15cm2，a0 5.6? 相当于异质结 GaAlAs/GaAs的情况 ，则s≈2.6×107 ?a/a0 表 2.3一3 列举了几种能在0.8～0.9?m和1.0～1.7?m波段内产生光发射的有源介质与表中所对应的衬底材料形成异质结的晶格失配率。 由表可见，目前光纤通信中短波长 0.82～0.85?m GaAlAs/GaAs激光器或发光二极管其异质结晶格失配率很小，而所谓长波长 1.0~1.7?m InGaAsP/InP激光器或发光管在一定条件下异质结的晶格失配率可达到零。 双异质结激光器中若两个异质结之间的距离为d，当体内复合与界面态复合并存时，则注入载流子的有效复合寿命可表示为 : ?r和?nr分别为体内的辐射和非辐射复合寿命， 2S/d表示在两个界面上界面态引起的非辐射复合速率，其中d的引入反映了有源层厚度对界面态复合速度的影响。 内量子效率: 内量子效率与晶格失配率成反比。 在实际器件中，通常有 例如，若 ?r 2.5ns，d 0.5?m，则为达到50％的内量子效率，就要求界面复合速度s≤104cm/s。即要求晶格失配率?a/a0 10-3。 实际半导体光电子器件的异质结都是在某一衬底材料上外延生长所形成的，外延层的质量取决于衬底材料本身结晶的完美性、外延层与衬底之间的晶格匹配、外延层的厚度以及合适的生长工艺等多种因素。 为了保证晶格匹配，必须合理选择固溶体的组分。某一固溶体的晶格常数是与它的各组分含量有关的。例如 GaAs 的晶格常数aGaAs 5.653?，这与AlAs的晶格常数aAlAs 5.611?所差甚微，因此能保证Ga1-xAlxAs与GaAs是晶格匹配的。对于四元化合物A1-xBxC1-yDy，可以按照弗伽 Vagard 定律计算出其晶格常数： 0≤x ≤1 、0≤y≤1 对于半导体激光器，其有源层较薄 亚微米量级