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磁控溅射 磁控溅射的基本原理，就是以磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此，使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效。同时，受正交电磁场束缚的电子，又只能在其能量要耗尽时才沉积在基片上。这就是磁控溅射具有“低温”，“高速”两大特点的道理。 电子在电场和磁场中的运动 物理气相沉积 离子镀 基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。 离子镀的基本特点是采用某种方法(如电子束蒸发磁控溅射，或多弧蒸发离化等)使中性粒子电离成离子和电子，在基体上必须施加负偏压，从而使离子对基体产生轰击，适当降低负偏压后，使离子进而沉积于基体成膜。 离子镀集蒸发镀和溅射镀为一体，沉积过程中既有靶材的蒸发、又有离子轰击溅射。 离子镀的优点如下：①膜层和基体结合力强。②膜层均匀，致密。③在负偏压作用下绕镀性好。④无污染。⑤多种基体材料均适合于离子镀。 离子镀 反应性离子镀 电弧离子镀 离子镀 磁过滤电弧离子镀 缺点是沉积速度只有普通电弧离子镀的10~20%。 化学气相沉积 化学气相沉积 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition\CVD) CVD是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。 CVD法可制备薄膜、粉末、纤维等材料，用于多种领域，如半导体工业、电子器件、光子及光电子工业、纳米硅粉等。 CVD可以制备单晶、多相或非晶态无机薄膜，以及金刚石薄膜、超导薄膜、透明导电薄膜以及其他敏感功能薄膜。 化学气相沉积 钻石 化学气相沉积 石墨烯 化学气相沉积 碳纳米管 化学气相沉积 化学气相沉积 热分解反应 该方法在简单的单温区炉中，在真空或惰性气体保护下加热基体至所需温度后，导入反应物气体使之发生热分解，最后在基体上沉积出固体涂层。 化学合成反应 化学合成反应是指两种或两种以上的气态反应物在热基片上发生的相互反应，最终在基体上沉积出固体涂层。 还原或置换反应、氧化、水解反应 模板来自于 / * 镀铬栅格、外表面烤漆、铝合金轮毂、桃木内饰、工程塑料表面、真皮、其他零部件；发动机内部温度高达2000℃，出口温度也有600℃，涂层技术氧化锆、陶瓷，物理气相沉积和等离子喷涂技术 表面涂层技术 主讲人：张洪锋 01 02 03 CONTENTS 目 录 表面涂层技术概述 概述 概述 不粘锅，原理是什么？ 化学法 热加工法 真空法 兰博基尼定制手机 Intel处理器 化学气相沉积合成钻石 物理气相沉积 物理气相沉积 物理气相沉积 真空蒸镀 电阻蒸发源 采用钽、钼、钨等高熔点金属，做成适当形状的蒸发源，其上装入待蒸发材料，让电流通过，对蒸发材料进行直接加热蒸发，或者把待蒸发材料放入Al2O3、BeO等坩埚中进行间接加热蒸发，这便是电阻加热蒸发法。由于电阻加热蒸发源结构简单、价廉易作，所以是一种应用很普通的蒸发源。 电阻蒸发源 真空蒸镀 电子速蒸发源? 将蒸发材料放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜，是真空蒸镀技术中的一种重要的加热方法和发展方向。电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点，特别适合制作高熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。? 电子束蒸发源的优点为： 电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度。 由于被蒸发材料是置于水冷坩埚内，因而可避免容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸镀材料之间的反应，这对提高镀膜的纯度极为重要。 热量可直接加到蒸镀材料的表面，热效率高，热传导和热辐射损失少。 真空蒸镀 高频感应蒸发源 高频感应蒸发源是将装有蒸发材料的坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使蒸发材料在高频电磁场的感应下产生强大的涡流损失和磁滞损失，致使蒸发材料升高，直至气化蒸发。膜材的体积越小，感应的频率就越高。 这种蒸发源的特点是：? 蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍左右；? 蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象；? 蒸发材料是金属时，蒸发材料可产生热量。 蒸发源一次装料，无需送料机构，温度控制比较容易，操作比较简单。 真空蒸镀 特殊蒸镀法 瞬时蒸发法? 双源或多源蒸发法 反应蒸发法? 电弧蒸发法（交流电弧放电法和直流电弧放电法） 热壁法 激光蒸发法 瞬时蒸发法 双源蒸发法 反应蒸发法 激光蒸发法 物理气相沉积 溅射镀膜 溅射过程物理模型 溅射镀膜 溅射镀膜 入射离子和靶材表面的作用 溅射镀膜 溅射薄膜的形成 气相离子可在飞向基体过程中凝结为大分子团，也可在基体表面凝结，并通过表面扩散，形成二维