1.4场效应管详解.ppt

输出特性曲线 转移特性曲线 符号 类型 P沟道增强型绝缘栅型场效应管 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 注意： UGS(th) N 0 UGS(th) P 0 NMOS管为电压控制器件，当 uGSUGS(th) N ，MOS 管导通。 PMOS 管为电压控制器件，当 uGS UGS(th) P ，MOS 管导通。 输出特性曲线 转移特性曲线 符号 类型 P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 七、 场效应管的主要参数 直流参数 2. 夹断电压UGS(off) :UDS一定时,使iD减小到规定的微小 电流时所需的uGS值。  1. 开启电压UGS(th) :当UDS一定时,使漏极电流iD0时所需加的UGS值。 3. 饱和漏极电流IDSS ：当UGS等于零, 产生预夹断时对应的漏极电流。 第1章 常用电子元器件总结 基本要求： 掌握半导体的基本知识；半导体的独有特性、半导体的导电特性，P、N型半导体的载流子数量特点、 PN的单向导电性等。 掌握二极管、三极管的结构、特性，会进行状态判断； 3. 了解二极管、三极管的主要参数。 * 模拟电子技术基础 信息科学与工程学院·基础电子教研室 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 导通电压： 硅管UBE?0.6~0.8V, 锗管UBE?0.1~0.3V。 开启电压： 硅管0.5V，锗管0.1V。 【 】 内容回顾 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 截止区 2. 输出特性 【 】 内容回顾 放大区 饱和区 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 电流关系： IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB 电压关系： （PNP) （NPN ） 【 】 内容回顾 (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 电流关系： ?IBIC 电压关系： （NPN) （PNP) UCES ? 0.3V 【 】 内容回顾 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 温度升高时， ICBO增大。 二、温度对输入特性的影响 三、温度对输出特性的影响 温度升高时，特性曲线上移 温度升高时， 特性曲线左移 【 】 内容回顾 漏极 D 源极 S 栅极 G 1.4 场效应管 ( FET ) 【 】 内容回顾 1.4.1 结型场效应管的结构和工作原理 N沟道 一、结构和工作原理 P沟道 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: 1.4 场效应管 ( FET ) 1.4.1 结型场效应管的结构和工作原理 N沟道 漏极 D 源极 S 栅极 G 一、结构和工作原理 P沟道 漏极 D 源极 S 栅极 G 二、工作原理 1. UDS＝0，UGS对导电沟道的影响 ?沟道变窄，当 增大到一定值，耗尽层闭合。 -------- 夹断电压 i D 2、当UGS(off) UGS0,UDS对iD的影响 当UDS＝0时，多子不会定向移动iD＝0。 UDS0时，UDS ?? iD ? ?耗尽层的宽度不同。 当UDS ? ? ,使UGD ＝ UGS(off)出现预夹断。如果UDS ? ? ? ?夹断区加长， iD不变。 综上所述: 在uDS uGS-UGS(off)的情况下, 对应于不同的UGS ，d - s间等效成不同阻值的电阻。 当uDS使uGD = uGS(off)时，d - s之间预夹断。 当uDS使uGD uGS(off）时，iD几乎仅仅决定于 uGS ，而与uDS无关。可以把iD近似看成uGS控制的电流源。 i D i D i D 二、结型场效应管的特性曲线 1、场效应管的输出特性 此区域中 : iD=0, 称为夹断区。 该区域中：曲线近似为不同斜率的直线，称为可变电阻区。 直线斜率的倒数为d-s间的等效电阻。该电阻值随uGS改变而改变。 此区域内: