2半导体特性详解.ppt

五、总结 总结 状态密度 导带底和价带顶的状态密度为0 总结 载流子的统计规律 总结 电子和空穴浓度的一般表达式 总结 本征半导体 杂质半导体 n型 随着掺杂浓度的增加，EF向Ec靠近 p型 随着掺杂浓度的增加，EF向Ev靠近 总结 无杂质补偿的n型半导体（强电离区） 半导体的导电性 一、主要内容 二、载流子的漂移运动 三、载流子的散射 四、迁移率与杂质浓度和温度的关系 五、电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 六、强电场下的效应、热载流子 七、耿氏效应 八、总结 载流子在外加电场作用下的漂移运动 半导体的迁移率、电导率、电阻率与温度和杂质浓度的关系 载流子散射的物理本质 一、主要内容 半导体中载流子的输运有三种形式 漂移 扩散 产生和复合 二、载流子的漂移运动 欧姆定律的微分表达式 欧姆定律的经典表达式 反映了通过导体中某一点的电流密度和该处的电导率、电场强度之间的关系。 电流密度：通过垂直于电流方向的单位面积的电流 欧姆定律的微分表达式 漂移速度和迁移率 漂移运动：载流子在电场力的作用下的定向运动 漂移速度 ：载流子定向运动的速度 （1）漂移速度是一个平均值，且是一个有限值。 半导体中的载流子做随机的热运动，在热平衡条件下，电子的平均动能满足： 漂移速度和迁移率 （2）漂移迁移率 A B S V I V E 电子运动方向 1秒钟通过AB面的电子数 n：电子浓度 S：AB截面的面积 通过A面的电流强度 通过A面的电流密度 反映了电导率和迁移率之间的关系 漂移速度和迁移率 载流子的迁移率? （1）概念：单位电场强度下载流子平均漂移速度的绝对值。反映载流子在电场中漂移运动的难易程度 （2）取值：因为电子逆电场方向运动，平均漂移速度为负值，而习惯上迁移率只取正值 （3）在相同的外电场作用下，电子迁移率大于空穴迁移率： 漂移速度和迁移率 （3）半导体的电导率和迁移率 在电场强度不太大的情况下，半导体中的载流子在电场作用下的运动仍遵守欧姆定律 半导体中存在带负电的电子和带正电的空穴，导电作用是电子导电和空穴导电的总和。 E 电子漂移方向 电子电流 空穴电流 空穴漂移方向 n型半导体 p型半导体 本征半导体 * 为了描述原子中电子的运动规律，Schr?dinger提出了一种波动方程，现在我们称为Schr?dinger方程。这个偏微分方程的数学解很多，但从物理意义看，这些数学解不一定都是合理的。为了得到原子中电子运动状态合理的解，必须引用只能取某些整数值的三个参数，称它们为量子数（下面第四个也是，但不是从Schr?dinger方程求出的）。 （1）主量子数nn相同的电子为一个电子层，电子近乎在同样的空间范围内运动，故称主量子数。当n=1,2,3,4,5,6,7电子层符号分别为K,L,M,N,O,P,Q。当主量子数增大，电子出现离核的平均距离也相应增大，电子的能量增加。例如氢原子中电子的能量完全由主量子数n决定：E=-13.6(eV)/n^2（2）角量子数l角量子数l确定原子轨道的形状并在多电子原子中和主量子数一起决定电子的能级。电子绕核运动，不仅具有一定的能量，而且也有一定的角动量M，它的大小同原子轨道的形状有密切关系。例如M=0时，即l=0时说明原子中电子运动情况同角度无关，即原子轨道的轨道是球形对称的；如l=1时，其原子轨道呈哑铃形分布；如l=2时，则呈花瓣形分布。对于给定的n值，量子力学证明l只能取小于n的正整数：l=0,1,2,3……(n-1)（3）磁量子数m磁量子数m决定原子轨道在空间的取向。某种形状的原子轨道，可以在空间取不同方向的伸展方向，从而得到几个空间取向不同的原子轨道。这是根据线状光谱在磁场中还能发生分裂，显示出微小的能量差别的现象得出的结果。磁量子数可以取值：m=0,+/-1,+/-2……+/-l（4）自旋量子数ms直接从Schr?dinger方程得不到第四个量子数——自旋量子数ms，它是根据后来的理论和实验要求引入的。精密观察强磁场存在下的原子光谱，发现大多数谱线其实由靠得很近的两条谱线组成。这是因为电子在核外运动，还可以取数值相同，方向相反的两种运动状态，通常用↑和↓表示。每个轨道最多可容纳两个自旋相反的电子。 例子：s只有一个轨道，形状位球型，容纳两个自旋相反电子p有三个轨道，形状为哑铃状，对应着空间直角坐标系的三条轴d有五个轨道，形状为花瓣状有xy,yz,zx,x^2-y^2,z^2五条轨道 * * * * * 本征半导体的载流子浓度和费米能级 适用于非简并半导体； 在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积n0p0等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。 ni(cm-3) （计算值） ni(cm-3) （实验值） Si 7.8?109 1.5?1010 Ge