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PIN二极管设计报告 姓名： 学号： 班级： 中国计量大学 2016年3月8号 一．器件工作原理 3 二.器件设计 4 2.1 工艺设计 4 2.2 版图设计 5 三．器件版图 5 3.1 版图说明（图+数据+说明） 5 3.2 制版说明 8 四．器件工艺 8 4.1 工艺流程图 8 4.2 工艺计算 10 4.3 工艺流程表 13 五.器件性能计算 13 六．总结与体会 14 一．器件工作原理 一般的二极管是由N型杂质掺杂的半导体材料和P型杂质掺杂的半导体材料直接构成形成PN结。而PIN二极管是在P型半导体材料和N型半导体材料之间加一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层。 PIN二极管的结构图如图1所示，因为本征半导体近似于介质，这就相当于增大了P-N结结电容两个电极之间的距离，使结电容变得很小。其次，P型半导体和N型半导体中耗尽层的宽度是随反向电压增加而加宽的，随着反偏压的增大，结电容也要变得很小。由于I层的存在，而P区一般做得很薄，入射光子只能在I层内被吸收，而反向偏压主要集中在II区的光生载流子在强电场作用下加速运动，所以载流子渡越时间常量减小，从而改善了光电二极管的频率响应。同时I层的引入加大了耗尽区，展宽了光电转换的有效工作区域，从而使灵敏度得以提高 二.器件设计 2.1 工艺设计 掺杂工艺：1.扩散。替位式扩散，间隙式扩散 2.离子注入：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能 版图全貌 版图尺寸11um*6.5um L1版为扩硼版版 L2 版为金属接线孔版 L3 版为金属接线孔反刻版 以上3 块版各另需翻制一块，总计6块版 L1版为扩硼版 版图尺寸 11um*6.5um 内有7um*4um的方块 有效面积：28平方微米 L2 版为引线孔版 版图尺寸 11um*6.5um（由1个2um*1um的方块组成）有效面积2平方微米 L3 版为接线孔反刻版 版图尺寸 11um*6.5um（由版图一挖去3.5um*2um的方块组成） 有效面积21平方微米 3.2 制版说明 版图总尺寸为11um*6.5um，接触点采用铜铝合金，节深2um，以N型硅为衬底，使用L1版进行扩硼，用L2.3.分别刻出接线孔和反刻接线板。 L1:L1-CXY扩硼版。采用正胶，有色区域的玻璃板有光透过 L2:L2-CXY金属接线孔版。采用正胶，有色的区域有光透过。 L3:L3-CXY引线孔版反刻板。用正胶，有色的区域有光透过。 制版日期：20**年**月**日 四．器件工艺 4.1 工艺流程图 1. 取一块重掺杂硅片，作为原始N+底 2. 在其上外延一层N-型硅 3、氧化得到二氧化硅层，光刻，运用版图1 的进行硼的扩散孔 . 4. 氧化得到二氧化硅层，运用相应版图，光刻，镀上铝铜合金；反刻得到金属电极 4.2 工艺计算 1. 设计静态额定击穿电压1200V，考虑安全系数后指标定为1466.67V 氧板1um 场版4.5um 电压1200V 假设余量为10%，场终端效率90%，则V=1200*（1.1）/0.9=1466V≈1500V；电压266.67V 1. 2.耐压层浓度为1×10×13cm-3 = Wp=61um 3.扩散系数：，； =18.96 4.设定载流子寿命为1um。 =43.54um =30.5um 5.d/La=0.7005 V=0.93 =0.05 tanh(d/La)=0.6 =0.157 大注入电流密度随导通压降的公式为代入： = ，d= =30.5um，Va=0.93V，=0.157； 得到 =354.4 6.导通压降Von=Vm+Va=0.93+0.05=0.98V 7.设I=1A ，可以由S=I/Jt=2.806，氧板1um 场版4.5um. 设长为长为7.015um，宽4um。 8. =（354.4×1466.67×0.9）/（0.98×2.806） 得到为1.701×10^8 4.3 工艺流程表 1.取一块重掺杂硅片，作为原始N+底 2.在温度1300℃，气流速率5cm/s条件下处理80min，生长浓度为1×10^13cm的外延层 3. 热氧化形成SiO2层、光刻、运用L1版图，采用1000