理想MOS结构的表面空间电荷区解析.pptVIP

2. 载流子耗尽 当金属电极上施加正偏压VG时，表面势 为正，空间电荷区中能带向下弯曲，准费米能级能级Ei靠近费米能级EF, (Ei –EF)值减小，表面空穴浓度低于体内热平衡值，造成多数载流子空穴的耗尽，少数载流子电子有所增加。当由于平衡少子数目极小，因此，少子数目仍然可以忽略。 空间电荷由没有空穴中和的、固定的受主离子构成。 单位面积下的总电荷QS为: 采用耗尽近似，根据泊松方程有： 表面势 QB:半导体空间电荷区中单位面积下的受主离子总电荷 载流子耗尽 3. 载流子反型 在耗尽基础上进一步增加偏压VG，MOS系统半导体表面空间电荷区中的能带进一步下弯。大的能带弯曲使硅表面及其附近的禁带中央能量Ei超越恒定的费米能级，即来到费术能级EF的下面。 使得：少数载流子电子浓度高于本征载流子浓度，而多数载流子空穴的浓度低于本征载流子浓度。这一层半导体由P型变成N型，称为反型层，即载流子反型。 载流子反型 当nS=ni时，半导体表面呈现本征状态，此后，再增加 ，半导体表面就会发生反型，则有： 当表面势等于体内费米势时，半导体表面开始反型 反型条件 四 反型和强反型的条件 强反型条件 但除非EiS低于EF很多，否则电子浓度很低，这种现象叫做弱反型；对于大多数MOSFET运用来说，希望确定一种条件，在超过它之后，反型层中的电子电荷浓度相当高，规定当表面电子浓度等于体内平衡多