大学院物理システム工学専攻2004年度 固体材料物性.pptVIP

大学院物理システム工学専攻2004年度固体材料物性 佐藤勝昭 ナノ未来科学研究拠点 この講義で学ぶこと 【概　要】 固体材料物性のうち、磁気物性と磁気光学を中心にその物理的概念と応用を学ぶ 。 【授業内容?計画と履修のポイント】 はじめに、磁性学の基礎を学習する。一部は、2003年のP科４年材料系物理工学の復習になるが、非受講者のためにあえて講義する。そののち拙著「光と磁気(改訂版)」に沿って現象論、量子論、応用を解説する。 固体の電子構造と導電性 バンドモデルが成り立つ系 金属のバンド 半導体のバンド バンド理論が成り立たない系 モット局在 アンダーソン局在 電子相関とMott絶縁体 同じ向きのスピン：同じ軌道に入れない 逆向きのスピン：同じ軌道に入ることができる 従って、たとえば高スピン状態のFe3+(3d5)から隣のFe3+に3d電子が移動すると電子のスピンが逆向きでないと移動できないので、同じ軌道に入ることが、クーロンエネルギーU分だけエネルギーが高くなる。 Uが電子移動によるエネルギーの低下W(=バンド幅)より大きいと局在が起きる。これをMott局在という 局在電子と多電子状態 遷移金属イオンのd電子系、希土類イオンのf電子系：電子の広がりが原子位置付近に局在 多電子系の基底状態→ Hund則、ESR 局在光学遷移：局所的な対称性を反映 電荷移動型遷移：配位子のp軌道から遷移金属イオンのd軌道への遷移 配位子場遷移：配位子のp軌道と混成したd軌道における多電子遷移 シリコンと鉄のバンド構造 (1) 波数ベクトルとは？ 結晶運動量 (2)縦軸と横軸 縦軸：電子のエネルギー 正孔のエネルギーは下向き 単位：Ry=13.6eV (Rydbergリードベリ) 横軸：電子の波数ベクトルｋ 単位：ｃｍ－１ 波数って何？：電子の波動をeikrと表したときのｋ kの大きさ：k=2π/λ　いわば空間周波数 (3)Γ、Ｘなどの記号は何？ ＢＺとは： 逆格子空間におけるWigner-Seitz Cell 波数ベクトルkがＢＺ上にあると電子波のBragg反射が起きる ＢＺの形： fccではtruncated octahedron, bccでは正１２面体 ＢＺの対称点の記号 ＢＺの中心k=(0,0,0)がΓ、他は結晶構造で異なる fcc格子の場合、k=(0,0,1)がＸ点、k=(1,1,1)がＬ点 逆格子 電子密度のフーリエ解析 n(r)=ΣnG exp(iG?r) nG=Vc-1∫celldV n(r)exp(-iG?r) 実空間　r 　逆格子空間G 3次元の場合： b1=(2π/Vc)(a2×a3), b2=(2π/Vc)(a3×a1), b3=(2π/Vc)(a1×a2) bi?aj=2πδij 実格子と逆格子 ブリルアンゾーン境界 ブリルアンゾーンの形 Siのバンドとブリルアンゾーンの対称点 ?点　k=(0,0,0) X点　k=(?/a){1,0,0} L点　k=(?3 ?/2a) ×{111} (4)屏風のようにつながっているのはなぜ？ Γ-Ｘ方向、Γ-Ｌ方向、Ｘ-Ｕ方向など異なる方位の分散をつなぎ合わせたもの Γ点で非対称なのはなぜ？ k=[1,0,0]方向に関して[-1,0,0]から[1,0,0]までを表示すれば対称的です。右側は[1,0,0]方向、左側は[1,1,1]方向に向かっての分散を描いたので、非対称に見えるだけです。 (5)半導体?金属?半金属?ハーフメタル 半導体：フェルミ準位を横切るE-k分散がない （フェルミ準位がバンドギャップの中に位置する） 金属：E-k分散曲線がフェルミ準位を横切る （BZにフェルミ面が見られる。電子面、ホール面） 半金属：伝導帯の底と価電子帯の頂の波数が異なり、かつ両帯のエネルギーに重なりがある。 ハーフメタル：多数スピンバンドは金属であるが、少数スピンバンドは半導体 半導体?半金属?金属?ハーフメタル ハーフメタル：PtMnSb ↑スピンは金属、↓スピンは半導体 PtMnSbの磁気光学スペクトル (5) Γ２５とかΓ１２とは？ 空間群の既約表現の記号 Γ点では点群Ｔｄと等価 既約表現の基底に着目 Γ12 :2z2-x2-y2, x2-y2のように変換：ｄγ的 Γ25 :Sx, Sy, Szのように変換：ｄε的 Γ1: r のように変換：ｓ的 Γ15:x,y,zのように変換：ｐ的 (6)広いバンド?狭いバンド Ｆｅのフェルミ面 (7)状態密度 状態密度(DOS) 3D 状態密度(DOS) 2D (8)状態密度曲線の検証：光電子スペクトル 占有状態の状態密度の情報 (9)状態密度曲線の検証：逆光電子スペ