集成电路工艺基础——03扩散解析.ppt

Chap 3 扩散 杂质扩散机构 扩散方程 扩散杂质的分布 扩散工艺 杂质掺杂 掺杂：将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅 掺杂工艺：扩散、离子注入 扩散 扩散 70年代初期以前，杂质掺杂主要通过高温的扩散实现。 杂质原子通过气相源或氧化物源扩散或淀积到硅晶片的表面。 杂质浓度从表面到体内单调下降 杂质分布主要是由温度和扩散时间决定 可用于形成深结（deep junction），如CMOS中的双阱（twin well） 离子注入 离子注入 从70年代初开始，掺杂的操作改由离子注入完成 掺杂原子以离子束的形式注入半导体内 杂质浓度在半导体内有峰值分布 杂质分布主要由离子质量和离子能量决定 用于形成浅结（shallow junction），如MOSFET中的漏极和源极 扩散机构 间隙式扩散 定义：杂质离子位于晶格间隙 杂质：Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 势能极大位置：相邻的两个间隙之间 势垒高度Wi：0.6~1.2eV 间隙杂质的振动能在室温时，只有0.026eV；1200 ℃时为0.13eV，因此间隙杂质靠热涨落越过势垒 跳跃率： Pi 依赖于温度 扩散机构 扩散机构 替位式扩散 定义：杂质离子占据硅原子的位 杂质特点：III 、Ⅴ族元素 相邻晶格上出现空位才好进行替位式扩散 势能极大位置：间隙处 势垒高度：0.6~1.2eV 跳跃率： 近邻出现空位的几率乘以跳入该空位的几率，Pv依赖于温度 间隙式扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 扩散机构 菲克第一定律 扩散是微观粒子热运动的统计结果，当杂质存在浓度梯度时，出现宏观的扩散流。杂质由高浓度区向低浓度区移动，直至浓度趋于均匀，扩散流为零。实验表明：扩散流的大小，正比于杂质的浓度梯度。 菲克第一定律: 如果在一个有限的基体中存在杂质浓度梯度，则杂质将会产生扩散运动，而且杂质的扩散方向使杂质浓度梯度变小。 扩散系数 扩散系数 扩散方程 扩散方程（菲克第二定律） 扩散方程 扩散方程（菲克第二定律） 经过△t时间，体积元内的杂质变化量为 体积元内杂质的变化，是由于在△t时间内，通过x处和x＋△x处的两个截面的流量差所造成 扩散方程 扩散方程（菲克第二定律） 假定体积元内的杂质不产生也不消失，上面两式应该相等，得到 假设扩散系数D为常数（低浓度正确），得到 恒定表面源扩散 定义：在整个扩散过程中，硅片表面的杂质浓度始终不变的扩散 边界条件和初始条件 C(0,t)=Cs ； C(∞ ,t)=0； C(x ,0)=0, x0 恒定表面源扩散的杂质分布： 恒定表面源扩散 恒定表面源扩散 杂质分布形式特点 在表面浓度Cs一定的情况下，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，扩到硅内的杂质数量也就越多。 扩到硅内的杂质数量可用高为Cs，底为2 的三角形近似； 表面浓度Cs由杂质在扩散温度下的固溶度所决定。而在900~1200 ℃内，固溶度变化不大，可见很难通过改变温度来控制Cs 恒定表面源扩散 结深 如果扩散杂质与硅衬底原有杂质的导电类型不同，则在两种杂质浓度相等处形成p-n结。 杂质浓度相等： 结的位置： 温度通过D对扩散深度和杂质分布情况的影响，同时间t相比更为重要。 恒定表面源扩散 杂质浓度梯度 任意位置 P-n结处的杂质梯度 在Cs和CB一定的情况下，p-n结越深，在结处的杂质浓度梯度就越小。 有限表面源扩散 定义：扩散之前在硅片表面淀积一层杂质，在整个扩散过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新源补充 初始条件和边界条件 C(x ,0)=0,xh C(∞ ,t)=0 C(x ,0)= Cs(0)=Q/h,0≤ x≤ h 解得： 有限表面源扩散 有限表面源扩散 杂质分布形式特点 当扩散温度相同时，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，表面浓度就越低。 当扩散时间相同时，扩散温度越高，杂质扩散的就越深，表面浓度下降的也就越多 扩散过程中杂质量不变 表面杂质浓度可以控制，有利于制作低表面浓度和较深的p-n结。 有限表面源扩散 结深 杂质浓度梯度 任意位置 P-n结处得杂质梯度 两步扩散 实际方法 实际生产中的扩散温度一般为900~1200 ℃ ，在这样的温度范围内，常用杂质如硼、磷、砷等在硅中的固溶度随温度变化不大，因而采用恒定表面源扩散很难得到低浓度的分布形式。为了同时满足对表面浓度、杂质数量、结深以及梯度等方面的要求，实际生产中往往采用两步扩散法 两步扩散 两步扩散