复旦集成电路工艺课件-08解析.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.02 集成电路工艺原理 第六章 扩散原理 (上) 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。 MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等 BJT：基极、发射极、集电极等 掺杂应用： B E C p p n+ n- p+ p+ n+ n+ BJT p well NMOS 杂质分布形状（doping profile）举例 掺杂过程 气/固相扩散 离子注入 或 退火 预淀积＝ 优点 缺点 预淀积控制剂量 恒定剂量推进退火 受到固溶度限制 注入损伤增强扩散 低剂量预淀积困难 沟道效应会影响杂质分布 需要长时间驱入退火方可能获得低表面浓度 损伤错位会导致结漏电 灵活 高浓度浅结形成 精确的深度控制 1011～1016/cm2剂量 精确剂量控制 无损伤掺杂 室温掩蔽 气/固